CSD75207W15 双路 P 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)

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1 特性

双路 P 通道 MOSFET
共源配置
小型封装尺寸 1.5mm x 1.5mm
栅极 - 源电压钳位
栅极静电放电 (ESD) 保护大于 4kV
- 人体模型 (HBM) JEDEC 标准 JESD22-A114
无铅且无卤素
符合 RoHS 环保标准

2 应用范围

电池管理
电池保护
负载和输入开关

3 说明

CSD75207W15 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内产生尽可能低的导通电阻和栅极电荷。低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起，使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。此器件也已经被授予美国专利 7952145，7420247，7235845 和 6600182。

米6体育平台手机版_好二三四概要

T_A = 25°C		典型值		单位
V_D1D2	漏极-漏极电压	-20		V
Q_g	栅极电荷总量 (-4.5V)	2.9		nC
Q_gd	栅漏栅极电荷	0.4		nC
R_{D1D2（导通）}	漏极到漏极导通电阻	V_GS = –1.8V	119	mΩ
		V_GS = -2.5V	64	mΩ
		V_GS = -4.5V	45	mΩ
V_GS(th)	阀值电压	-0.8		V

订购信息⁽¹⁾

器件	封装	介质	数量	出货
CSD75207W15	1.5mm x 1.5mm 晶圆级封装	7 英寸卷带	3000	卷带封装

要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购米6体育平台手机版_好二三四附录。

最大绝对额定值

T_A = 25°C		值	单位
V_D1D2	漏极-漏极电压	-20	V
V_GS	栅源电压	-6.0	V
I_D1D2	持续漏极到漏极电流⁽¹⁾⁽²⁾	–3.9	A
I_D1D2	脉冲漏极到漏极电流， T_C= 25°C⁽³⁾时测得	–24	A
I_S	持续源引脚电流	–1.2	A
I_S	⁽³⁾脉冲源引脚电流	-15	A
I_G	持续栅极钳位电流	-0.5	A
I_G	脉冲栅极钳位电流⁽³⁾	-7	A
P_D	功率耗散⁽¹⁾	0.7	W
T_J， T_stg	运行结温和储存温度范围	-55 至 150	°C

每个器件两侧均导电
器件在 105ºC 温度下运行
脉冲持续时间 10μs，占空比 ≤ 2%

顶视图	R_{D1D2（导通）}与 V_GS间的关系

CSD75207W15 双路 P 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

CSD75207W15 双路 P 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)

1 特性

2 应用范围

3 说明

米6体育平台手机版_好二三四概要

订购信息⁽¹⁾

最大绝对额定值

顶视图

R_{D1D2（导通）}与 V_GS间的关系

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封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

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1 特性

2 应用范围

3 说明

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订购信息(1)

最大绝对额定值

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RD1D2（导通）与 VGS间的关系

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R_{D1D2（导通）}与 V_GS间的关系