ZHCSAE5B
September 2012 – April 2018
CSD86360Q5D
PRODUCTION DATA.
1
特性
2
应用
3
说明
3.1
俯视图
Device Images
4
修订历史记录
5
Specifications
5.1
Absolute Maximum Ratings
5.2
Recommended Operating Conditions
5.3
Power Block Performance
5.4
Thermal Information
5.5
Electrical Characteristics
5.6
Typical Power Block Device Characteristics
5.7
Typical Power Block MOSFET Characteristics
6
Application and Implementation
6.1
Application Information
6.1.1
Equivalent System Performance
6.1.2
Power Loss Curves
6.1.3
Safe Operating Area (SOA) Curves
6.1.4
Normalized Curves
6.2
Typical Application
6.2.1
Design Example: Calculating Power Loss and SOA
6.2.1.1
Operating Conditions
6.2.1.2
Calculating Power Loss
6.2.1.3
Calculating SOA Adjustments
7
Layout
7.1
Layout Guidelines
7.1.1
Electrical Performance
7.1.2
Thermal Performance
7.2
Layout Example
8
器件和文档支持
8.1
文档支持
8.1.1
相关文档
8.2
接收文档更新通知
8.3
社区资源
8.4
商标
8.5
静电放电警告
8.6
术语表
9
机械、封装和可订购信息
9.1
Q5D 封装尺寸
9.2
焊盘布局建议
9.3
模版建议
9.4
Q5D 卷带信息
封装选项
机械数据 (封装 | 引脚)
DQY|8
MPSS031A
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息
zhcsae5b_oa
zhcsae5b_pm
1
特性
半桥电源块
25A 电流下系统效率高达 91%
运行电流高达 50A
高频工作(高达 1.5MHz)
高密度 SON 5mm × 6mm 封装
针对 5V 栅极驱动进行了优化
开关损耗较低
超低电感封装
符合 RoHS 标准
无卤素
无铅引脚镀层
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