ZHCSPF5
April 2022
DRV8300-Q1
PRODUCTION DATA
1
特性
2
应用
3
说明
4
Revision History
5
Device Comparison Table
6
Pin Configuration and Functions
7
Specifications
7.1
Absolute Maximum Ratings
7.2
ESD Ratings AUTO
7.3
Recommended Operating Conditions
7.4
Thermal Information
7.5
Electrical Characteristics
7.6
Timing Diagrams
7.7
Typical Characteristics
8
Detailed Description
8.1
Overview
8.2
Functional Block Diagram
8.3
Feature Description
8.3.1
Three BLDC Gate Drivers
8.3.1.1
Gate Drive Timings
8.3.1.1.1
Propagation Delay
8.3.1.1.2
Deadtime and Cross-Conduction Prevention
8.3.1.2
Gate Driver Outputs
8.3.2
Pin Diagrams
8.3.3
Gate Driver Protective Circuits
8.3.3.1
VBSTx Undervoltage Lockout (BSTUV)
8.3.3.2
GVDD Undervoltage Lockout (GVDDUV)
8.4
Device Functional Modes
9
Application and Implementation
9.1
Application Information
9.2
Typical Application
9.2.1
Design Requirements
9.2.2
Bootstrap Capacitor and GVDD Capacitor Selection
9.2.3
Application Curves
10
Power Supply Recommendations
11
Layout
11.1
Layout Guidelines
12
Device and Documentation Support
12.1
接收文档更新通知
12.2
支持资源
12.3
Trademarks
12.4
Electrostatic Discharge Caution
12.5
术语表
13
Mechanical, Packaging, and Orderable Information
封装选项
机械数据 (封装 | 引脚)
PW|20
MPDS362A
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息
zhcspf5_oa
1
特性
符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
温度等级 1:–40°C ≤ TA ≤ 125°C
100V 三相半桥栅极驱动器
驱动 N 沟道 MOSFET (NMOS)
栅极驱动器电源 (GVDD):5-20V
MOSFET 电源 (SHx) 支持高达 100V 的电压
集成自举二极管
自举栅极驱动架构
750mA 拉电流
1.5A 灌电流
支持高达 48V 的汽车系统
SHx 引脚具有低泄漏电流(小于 55µA)
绝对最大 BSTx 电压高达 115V
支持 SHx 上低达 -22V 的负电压瞬变
内置跨导保护
固定插入 215 ns 死区时间
支持 3.3V 和 5V 逻辑输入(绝对最大值为 20V)
4ns 典型传播延迟匹配
紧凑型 TSSOP 封装
具有
电源块
的高效系统设计
集成保护特性
BST 欠压锁定 (BSTUV)
GVDD 欠压 (GVDDUV)
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