ZHCSQ96
July 2021
DRV8770
PRODUCTION DATA
1
特性
2
应用
3
说明
4
Revision History
5
Pin Configuration and Functions
6
Specifications
6.1
Absolute Maximum Ratings
6.2
ESD Ratings Comm
6.3
Recommended Operating Conditions
6.4
Thermal Information
6.5
Electrical Characteristics
6.6
Typical Characteristics
7
Detailed Description
7.1
Overview
7.2
Functional Block Diagram
7.3
Feature Description
7.3.1
Gate Drivers
7.3.1.1
Gate Drive Timings
7.3.1.1.1
Propagation Delay
7.3.1.1.2
Deadtime and Cross-Conduction Prevention
7.3.1.2
Mode (Inverting and non-inverting INLx)
7.3.2
Pin Diagrams
7.3.3
Gate Driver Protective Circuits
7.3.3.1
VBSTx Undervoltage Lockout (BSTUV)
7.3.3.2
GVDD Undervoltage Lockout (GVDDUV)
7.4
Device Functional Modes
8
Application and Implementation
8.1
Application Information
8.2
Typical Application
8.2.1
Design Requirements
8.2.2
Detailed Design Procedure
8.2.3
Application Curves
9
Power Supply Recommendations
9.1
Bulk Capacitance Sizing
10
Layout
10.1
Layout Example
10.2
Layout Guidelines
11
Device and Documentation Support
11.1
Receiving Notification of Documentation Updates
11.2
支持资源
11.3
Trademarks
11.4
Electrostatic Discharge Caution
11.5
术语表
12
Mechanical, Packaging, and Orderable Information
封装选项
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
机械数据 (封装 | 引脚)
RGE|24
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
RGE|24
QFND008AA
订购信息
zhcsq96_oa
zhcsq96_pm
1
特性
100V H 桥栅极驱动器
驱动 N 沟道 MOSFET (NMOS)
栅极驱动器电源 (GVDD):5-20V
MOSFET 电源 (SHx) 支持高达 100V 的电压
集成自举二极管
支持反相和同相 INLx 输入(QFN 封装)
自举栅极驱动架构
750mA 拉电流
1.5A 灌电流
支持由高达 15 节串联电池供电的应用
SHx 引脚具有低漏电流(小于 55µA)
绝对最大 BSTx 电压高达 115V
SHx 引脚瞬态负压可达 -22V
针对 QFN 封装,可通过 DT 引脚调节死区时间
针对 TSSOP 封装,固定插入 200ns 死区时间
支持 3.3V 和 5V 逻辑输入(绝对最大值为 20V)
4ns 典型传播延迟匹配
紧凑型 QFN 和 TSSOP 封装和尺寸
具有
电源块
的高效系统设计
集成保护特性
BST 欠压锁定 (BSTUV)
GVDD 欠压 (GVDDUV)
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