ISO5851-Q1 是一款用于 IGBT 和 MOSFET 的 5.7 kVRMS 增强型隔离栅极驱动器,具有 2.5A 的拉电流能力和 5A 的灌电流能力。输入端由 3V 至 5.5V 的单电源供电运行。输出端允许的电源范围为 15V 至 30V。两个互补 CMOS 输入控制栅极驱动器的输出状态。76ns 的短暂传播时间保证了对于输出级的精确控制。
内置的去饱和 (DESAT) 故障检测功能可识别 IGBT 何时处于过载状态。当检测到 DESAT 时,栅极驱动器输出会被拉低为 VEE2 电势,从而将 IGBT 立即关断。
当发生去饱和故障时,器件会通过隔离隔栅发送故障信号,以将输入端的 FLT 输出拉为低电平并阻断隔离器的输入。FLT 的输出状态将被锁存,可通过 RST 输入上的低电平有效脉冲复位。
器件型号 | 封装 | 封装尺寸(标称值) |
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ISO5851-Q1 | SOIC (16) | 10.30mm x 7.50mm |
日期 | 修订版本 | 注释 |
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2015 年 9 月 | * | 最初发布版本 |
如果在由双极输出电源供电的正常运行期间关断 IGBT,输出电压会被硬钳位为 VEE2。如果输出电源为单极,那么可采用有源米勒钳位,这种钳位会在一条低阻抗路径上灌入米勒电流,从而防止 IGBT 在高电压瞬态条件下发生动态导通。
当发生去饱和故障时,器件会通过隔离隔栅发送故障信号,以将输入端的 FLT 输出拉为低电平并阻断隔离器的输入。FLT 的输出状态将被锁存,可通过 RST 输入上的低电平有效脉冲复位。
如果在由双极输出电源供电的正常运行期间关断 IGBT,输出电压会被硬钳位为 VEE2。如果输出电源为单极,那么可采用有源米勒钳位,这种钳位会在一条低阻抗路径上灌入米勒电流,从而防止 IGBT 在高电压瞬态条件下发生动态导通。
栅极驱动器是否准备就绪待运行由两个欠压锁定电路控制,这两个电路会监视输入端和输出端的电源。如果任意一端电源不足,RDY 输出会变为低电平;否则,该输出为高电平。
ISO5851-Q1 采用 16 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) 封装。此器件的额定工作环境温度范围为 -40°C 至 125°C。
PIN | I/O | DESCRIPTION | |
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NAME | NO. | ||
VEE2 | 1, 8 | - | Output negative supply. Connect to GND2 for Unipolar supply application. |
DESAT | 2 | I | Desaturation voltage input |
GND2 | 3 | - | Gate drive common. Connect to IGBT emitter. |
NC | 4 | - | Not connected |
VCC2 | 5 | - | Most positive output supply potential. |
OUT | 6 | O | Gate drive voltage output |
CLAMP | 7 | O | Miller clamp output |
GND1 | 9, 16 | - | Input ground |
IN+ | 10 | I | Non-inverting gate drive voltage control input |
IN- | 11 | I | Inverting gate drive voltage control input |
RDY | 12 | O | Power-good output, active high when both supplies are good. |
FLT | 13 | O | Fault output, low-active during DESAT condition |
RST | 14 | I | Reset input, apply a low pulse to reset fault latch. |
VCC1 | 15 | - | Positive input supply (3 V to 5.5 V) |