设计目标
输入电源 | 比较器输出状态 (OUT) | 辐射 |
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工作范围 | 26V ≤ Vin ≤ 30V | Vin < 26V 或 Vin > 30V | 电离总剂量 (TID) | 针对 LET 的 SEL 抗扰度 |
20 V 至 36 V | Vout = Vpu | Vout = GND | 100krad (Si) | 85MeV·cm2/mg |
设计说明
本应用简介展示了如何部署电压窗口比较器电路来监测 28V 电源轨,这是小型飞行器中常见的航天器总线电压。此宽单电源窗口比较器电路采用一个双路集电极开路比较器和 3 个电阻器来设定窗口电压。并联稳压器 TL1431-SP 用于从输入电压提供参考电压。因此,该电路的输入部分只使用一个单电源。之所以使用 LM193AQML-SP 是因为它具有集电极开路输出、符合辐射规范并包含两个通道。每当输入电压 Vin 位于比较窗口(26V 至 30V)内时,该电路的输出 VOUT 都为高电平。每当 Vin 超出比较窗口时,VOUT 都会下拉至 GND。
设计说明
- 选择具有集电极开路输出级的高电压比较器。
- 选择具有低输入偏移电压的比较器,以优化精度。
- 计算电阻分压器的值,以便每当 V1 超过 VREF 时,VOUT 变高,每当 V2 超过 VREF 时,VOUT变高。
- 计算 R5,使得并联稳压器在整个操作范围内都在灌电流规格内。
设计步骤
- 选择具有集电极开路输出级的高压比较器,可以在尽可能高的电源电压下工作。在该设计中,最高输入/电源电压为 36V。
- 为窗口比较器确定适当的基准电平 VREF。TL1431-SP 内部基准电压 为2.5V,便于计算。如果将其他基准电压与 TL1431-SP 配合使用,则需要在并联稳压器的阴极和阳极之间放置一个分压器,并将 VREF 放置在两个电阻器之间。
- 通过 将VREF 与工作电压范围相关联,计算 VIN 和 VREF 之间电阻器 R5 的值。确保 R5 的大小能够保证并联稳压器可以为整个工作范围提供足够的偏置。偏置TL1431-SP 所需的电流 IBias 必须介于 1mA 和 100mA 之间。这里选择了 4.7kΩ 的电阻器,因为它在整个工作电压范围内将偏置电流保持在此范围内。
此设计中可以使用 350Ω 到 16kΩ 之间的值。已考虑将偏置电流降至最低,同时从 最小规格1mA提供一些缓冲。如果发现VREF 有噪声,可以在节点和 GND 之间放置一个去耦电容器来滤除噪声。
- 顶部比较器的正输入 V1 和底部比较器的负输入 V2 可以通过 分压与 Vin关联:
当V1 超过 VREF 输出高电平时,窗口比较器跳闸,当 V2 超过 VREF 输出低电平时,窗口比较器再次跳闸。如果 V1 小于 VREF,则比较器为低电平。在此设计中,当Vin 等于 26V 时,窗口比较器跳闸变高,当Vin 等于 30V 时,窗口比较器跳闸变低;这两种情况下,VREF 都等于 2.5V。
- 对步骤 4中的两个公式 (R1+R2+R3) 求解,并将其中一个公式代入另一个公式。
- 利用步骤5 步得到的关系式,求解 R1 和 R2 之间的关系。
- 利用步骤 5 和步骤 6 推导出的公式,相应地调整电阻器 R1、R2 和 R3 的大小。在此设计中,R2 设为 2.55kΩ,这意味着 R1 和 R3 分别为 179.775kΩ 和 16.575kΩ。这些电阻器的大小是根据分压器上的电流消耗(在工作条件内约为 100μA 至 180μA)来选择的。
- 选择容差为 5% 的电阻器作为上拉电阻器 R4,用于将窗口比较器的输出上拉至 VPU。该组件要足够大,以确保比较器吸取的电流不大,但又要足够小,以确保比较器输出高电平时消耗的漏电流不会导致太大的压降。
- 步骤 7中获得的值调整为1%的电阻容差, R1、R2 和 R3 分别为 178kΩ、2.55kΩ 和 16.5kΩ。由于这些变化,比较窗口会发生偏移,在过压条件下提前跳闸,欠压条件下延后跳闸。在直流仿真结果中,比较窗口位于 25.8595V 和 29.856V 之间。
设计仿真
直流仿真结果
瞬态仿真结果
参考资料:
- SPICE 仿真文件:http://www.ti.com/cn/lit/zip/snom708.
设计特色比较器
LM193QML-SP |
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VS | 2 V 至 36V |
VinCM | 0 V 至 34.5 V |
VOUT | 集电极开路 |
VOS | 5mV |
IQ | 200 μA/channel |
tPD(HL) | 2.50μs |
TID 辐射批次验收测试 (RLAT)/RHA | 100krad(Si) |
TID 特性(无 ELDRS) | 100krad(Si) |
针对 LET 的 SEL 抗扰度 | SEL 抗扰度(双极工艺) |
/product/cn/LM193QML-SP |
设计特色并联基准
设计备用比较器
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TLV1704-SEP
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LM139AQML-SP
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VS |
2.2V 至 36V |
2 V 至 36V |
VinCM |
轨到轨 |
0 V 至 34 V
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VOUT |
集电极开路,轨到轨
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集电极开路 |
VOS |
500µV |
2mV
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IQ |
55µA/通道 |
200 μA/通道
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tPD(HL) |
460ns |
2.50μs |
TID 特性(无 ELDRS)
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30krad(Si) |
100krad(Si)
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TID 辐射批次验收测试 (RLAT)/RHA |
20krad(Si) |
100krad(Si)
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针对 LET 的 SEL 抗扰度 |
43MeV·cm2/mg |
SEL 抗扰度(双极工艺) |
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/product/cn/TLV1704-SEP |
/product/cn/LM139AQML-SP
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