ZHCACH8 march   2023 AFE78101 , AFE781H1 , AFE88101 , AFE881H1 , OPA2391 , OPA391

 

  1. 1应用简报

应用简报

2 线 4-20mA 变送器

对于环路供电的双线制 4-20mA 传感器变送器而言,满足功率和电流限制特别具有挑战性。当变送器在输出范围的低端将电流调制到 4mA 时,如果存在高速可寻址远程传感器 (HART) 信号,环路电流甚至可以降至 3.5mA。由于这种较低的电流输出,现场变送器的流耗限制为 3mA。变送器可以执行所有传感功能,并精确测量场变量。结果必须在环路电流上以高可靠性、低噪声和高分辨率进行传输,并且仍然满足严格的尺寸要求。

人们对现场变送器特性和功能的需求不断增长,这在电流有限的条件下带来了特殊的挑战:需要更高效的低功耗电路和器件。如果 DAC161S997 和 DAC8831[1], [2] 设计等标准架构无法满足电源需求,基于 PWM 的 DAC 也可用于大幅降低功耗[3], [4]。具有集成模拟资源的微控制器 (MCU) 也可用于降低功耗和面积[5]。当变送器电子设备所需的电流超过 3mA 时,可使用降压转换器代替典型稳压器,以低于环路电压的电压提供所需的电流。[6], [7]

AFE881H1 环路变送器前端

AFE881H1 设计用于实现出色集成、超低功耗、2 线(环路供电)4-20mA 变送器。该器件不集成电压至电流转换器或环路电源稳压器。这可以提高电源设计的灵活性,并满足本质安全和功能安全需求。

该器件在 1.8V 和 2.7V 至 5V 的宽电源电压范围内工作,在整个工业温度范围内可实现 0.1% 的 TUE。

GUID-20220921-SS0I-NR5Z-Q12R-SNNFFMTSWCCD-low.svg图 1 AFE881H1 方框图

该器件集成了经认证的 HART 调制解调器以及具有诊断功能的 12 位模数转换器 (ADC),可实现自动自检,检测器件内部电路的错误,并可选择进入失效防护状态。采用 4mm × 4mm 封装的集成式低漂移 1.25V 基准和 1.288MHz 振荡器可实现紧凑型变送器电路。

该器件与 AFE88101 非 HART 器件引脚对引脚兼容。这两款器件还提供 14 位分辨率(AFE781H1 和 AFE78101)。此系列的引脚对引脚器件可满足各种应用和成本要求。

变送器设计

AFE881H1 用于实现超低功耗 2 线变送器,如图 2 所示。D1 是一个 TVS 二极管,用于防止浪涌事件。D2–D5 构成了一个桥式整流器,用于实现反极性运行。齐纳二极管 D6 将输入电压限制为 5.1V,U3 LDO (TPS7A1601) 为变送器生成主电源 (1.8V)。检测电阻 (R2) 可检测流经环路的电流,电流调制电路 (U2 + Q2 + Q1) 可将该电流保持在由 U1 DAC (AFE881H1) 驱动的特定电平。通过修改 Q1 的有效阻抗来调制电流,并通过 D6 传递所需的剩余电流以达到所需的环路电流。

GUID-20230217-SS0I-FJXM-4VBW-RQLSNTW9HF2Q-low.svg图 2 超低功耗、低压、2 线 4-20mA 变送器

此设计可实现宽输入电压范围,同时保持 1.8V 的低电压运行。通过降低同一电流的总体功耗、降低运行所需的最小环路电压并提高 EMC 发射性能,低电压运行提供了许多优势。

在 20mA 的较高环路电流下,Q1 的基极电流(假设增益为 100)接近 0.2mA 且 VBE(Q2) < 0.7V,再加上 R4 上的压降,运算放大器 U2 输出需要达到 Vbe(Q2) + (R4 × 0.2m)。通过正确选择 R4 值,U2 的最大输出电压小于 1.7V。OPA391 的共模范围为 0.1V 至 1.7V,电源电压为 1.8V。该器件还能够从电源轨驱动高达几 mV 的电压。

该电路经过设计,当传感器和处理端所需的电流高于 3mA 时[6], [7],可与直流/直流转换器(而非 LDO)一起工作。与内部基准相比,使用外部基准 REF35125 可降低电流消耗,但是,如果需要绝对最小面积,仍可使用内部基准。

功率测量

为了验证设计性能,测试了原型板,主要侧重于功耗和噪声性能。

每个器件的静态电流在 1.8V 电源电压和室温下单独测量,如图 3 所示。

GUID-20230217-SS0I-0HHG-9PFL-JZMHFN9LQ4Q2-low.svg图 3 变送器电路的不同电流分量

表 1 列出了每个电流并突出显示了不同元件的超低功耗特性。

表 1 电路电流消耗
电流分量 4mA 时的值
1 HV LDO 静态电流 5μA
2 电压基准 3μA
3 AFE881H1(外部 REF,无 HART,无 ADC) 133μA
4 运算放大器 24μA
5 I(Q2) 15μA
总和 180
6 MCU 43μA
总计 223μA

两个电流随输出电流线性变化,AFE881H1 电流随着产生的电压升高而变化,因此流经 R1 的电流和流经 Q2 的电流增大。图 4 中显示了输出电流从 3mA 变为 25mA 时的总电流变化。

MSPM0 MCU 用作 SPI 主机,驱动 SPI 命令以每 100ms 设置一次 AFE881H1 数据输出寄存器。测得与 SPI 通信相关的 MCU 电流消耗测量值为 43μA。

D6 中的电流是用于调节环路中的电流的剩余电流,如果电路需要更多电流才能工作,则可以将其变为零,因此变送器电路不会将其视为功耗。确保 D6 的功率等级远高于在最大电流水平下产生的功率。假设通过 D6 的最大电流为 25mA,D6 将消耗 130mW 的功率。

输出电流为 4mA 时,变送器电路仅消耗 180μA 电流,1.8V 电源电压下的功耗为 0.33mW。加上 MCU 电流,电路的总电流为 223 μA,在由 1.8V 电源供电时相当于 0.4mW。

GUID-20230217-SS0I-LCH6-L1KS-BK29W9SD8H2J-low.svg 图 4 总电流消耗与环路电流间的关系

噪声性能

如前所述,MCU 每 100ms 通过 SPI 与 AFE881H1 进行一次通信,在睡眠和工作模式之间切换。MCU 与 AFE881H1 共用同一个 1.8V 电源,并且 MCU 功率模式的变化会影响变送器的噪声性能。为了验证电路噪声性能,使用 24 位 31kSPS ADC 测量环路电流噪声。绘制了图 5 中的输出直方图和图 6 中的输出频谱,以检查精度和频谱噪声。

GUID-20230217-SS0I-MKFR-HNGC-PJL5WZ1BP7XT-low.svg图 5 3mA 设置下的环路输出电流直方图
GUID-20230217-SS0I-KG10-KJVP-9WQWX5FGW3LP-low.svg图 6 静态 3mA 设置下的环路电流频谱

表 2 总结了变送器在 3mA 时的噪声性能,AFE881H1 输出对 SNR 影响最大时的最小电流。RMS 噪声小于 0.8μA,相当于 17 位性能,这表明了该设计的低噪声特性。环路电流频谱表明,MCU 开关模式不会影响输出信号的频谱内容。

表 2 3mA 环路电流下的噪声性能
参数 3mA 时的变送器
样本数

16383

平均值

3.00425 mA

最小值

3.00152 mA

最大

3.00698 mA

P-P 噪声 5.45382μA
RMS 噪声 782nA
无噪声位 14.2 位
RMS 分辨率 17 位

结论

AFE881x1 米6体育平台手机版_好二三四系列是构建超低功耗 (0.4mW)、低电压 (1.8V)、高精度(在温度范围内为 0.1% FS TUE)2 线变送器的理想选择。借助 14 位和 16 位器件,无论是否使用 HART 调制解调器,所有器件均采用引脚对引脚兼容的 4mm × 4mm 封装,因此可构建各种高性能且具有成本效益的传感器变送器环路接口。本文演示了超低功耗变送器,并通过单个器件的电流消耗和总体噪声性能进行了验证。