1 特性

• 增强模式氮化镓场效应晶体管 (FET) (eGANFET)
• 4V 到 18V 单电源供电电压范围
• 5V的驱动电压 VREF
• 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流驱动
• 1Ω 和 0.35Ω 上拉和下拉电阻（最大限度提升对高转换率 dV 和 dt 的抗扰度）
• 分离输出配置（可实现针对各个 FET 的导通和关断优化）
• 传输延迟小（典型值为 14ns）
• 快速上升和下降时间（典型值分别为 9ns 和 5ns）
• TTL 和 CMOS 兼容输入（不受电源电压影响，很容易连接至数字和模拟控制器）
• 双输入设计实现了灵活驱动（反相配置和同相配置均受支持）
• 当输入悬空时输出保持在低电平
• VDD 欠压锁定 (UVLO)
• 采用与 eGANFET 兼容的优化引脚分布，方便进行布局布线
• 具有外露散热焊盘和接地焊盘的 2.00mm × 2.00mm 小外形尺寸无引线 (SON)-6 封装（最大限度降低寄生电感以减少栅极振铃）
• 工作温度范围：-40°C 至 140°C