DATA SHEET
TPS51116 全套 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 电源解决方案同步降压控制器、3A LDO、缓冲基准
本资源的原文使用英文撰写。 为方便起见，TI 提供了译文；由于翻译过程中可能使用了自动化工具，TI 不保证译文的准确性。 为确认准确性，请务必访问 ti.com 参考最新的英文版本（控制文档）。
1 特性
- 同步降压控制器 (VDDQ)
- 宽输入电压范围: 3.0V 至 28V
- 负载阶跃响应为 100ns 的 D−CAP™ 模式
- 电流模式选项支持陶瓷输出电容器
- 支持 S4/S5 状态内的软关闭
- 利用RDS(on) 或电阻器进行电流检测
- 2.5V (DDR)、1.8V (DDR2)，可调节至
1.5V (DDR3)、1.35V (DDR3L)、1.2V（LPDDR3 和 DDR4）或
输出范围 0.75V 至 3.0V
- 配备有电源正常、过压保护和欠压保护
- 3A LDO (VTT)，经缓冲基准 (VREF)
- 拉电流和灌电流的能力达到 3A
- 提供 LDO 输入以优化功率损耗
- 只需 20μF 陶瓷输出电容器
- 经缓冲的低噪声 10mA VREF 输出
- 针对 VREF 和 VTT 的 ±20mV 精度
- 在 S3 中支持高阻抗 (high-Z)，在 S4/S5 中支持软关闭
- 热关断