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比较分析两种不同的可提高栅极驱动电流的方法
ZHCAB75A
March 2020 – February 2022
ISO5852S
,
ISO5852S-EP
,
ISO5852S-Q1
,
LM5106
CONTENTS
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比较分析两种不同的可提高栅极驱动电流的方法
商标
1
引言
2
使用 BJT 图腾柱级进行电流升压
3
使用饱和 MOSFET 图腾柱级进行电流升压
4
实现详情
5
执行效果的结果
6
两种方法的比较
7
结论
8
参考文献
9
修订历史记录
重要声明
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比较分析两种不同的可提高栅极驱动电流的方法
本资源的原文使用英文撰写。 为方便起见,TI 提供了译文;由于翻译过程中可能使用了自动化工具,TI 不保证译文的准确性。 为确认准确性,请务必访问 ti.com 参考最新的英文版本(控制文档)。
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