图 1 展示了 BAW 谐振器技术的结构。该结构包括一层夹在金属膜和其他层之间的压电式薄膜,用于限制机械能。BAW 利用这种压电式传导技术产生振动。
CDC6C 和 LMK6C LVCMOS BAW 振荡器系列可用作能源基础设施设计中的直接替代米6体育平台手机版_好二三四。
图 2 和图 3 展示了基本方框图智能仪表应用,其中包含 BAW 振荡器。凭借在频率、电源电压和封装尺寸方面的灵活性,BAW 振荡器能够在整个系统中满足替代时钟需求。如果隔离式 ADC 的主时钟需要同步,则可以使用 LMK05318B 等网络同步器。
与 MEMS 和石英振荡器相比,BAW 振荡器的主要优势之一是出色的抖动性能。图 4 展示了在 25MHz 输出时钟下 LMK6C (LVCMOS) BAW 振荡器的抖动性能。改进 ADC 主时钟的抖动性能可以实现出色的信噪比。
TI 的 BAW 振荡器系列支持 1.8V 至 3.3V 电源电压,采用标准 4 引脚 DLE (3.2mm × 2.5mm)、DLF (2.5mm × 2mm)、DLX (2mm x 1.6mm) 和 DLY (1.6mm x 1.2mm) 封装,可节省紧凑型电路板设计的空间。左侧的图 5 展示了 BAW 振荡器布局,并与多种封装尺寸的典型晶体布局进行了比较。晶体最多需要四个外部元件来调整谐振频率并保持主动振荡。有源振荡器(如 CDC6C 或 LMK6C)只需一个电容器即可进行电源滤波,从而简化了 BOM 并显著减少了所需的布局面积。此外,PCB 布线的寄生电容不会影响有源振荡器的频率精度,因此与晶体相比,有源振荡器距离接收器要远得多。
BAW 振荡器在温度稳定性和振动灵敏度方面提供高度可靠性。图 6 将在 -40°C 至 105°C 温度范围内的 BAW 性能与石英进行了比较。在整个温度范围内,BAW 振荡器具有 ±10ppm 的频率精度。
图 7 展示了 BAW 振荡器的振动灵敏度。BAW 振荡器的典型振动灵敏度为 1ppb/g,这明显优于石英振荡器设计的 5ppb/g 至 10ppb/g 灵敏度。
与其他技术相比,BAW 振荡器具有出色的 EMI 性能。图 8 比较了 CDC6C BAW 振荡器和基于 MEMS 的振荡器在 550MHz 至 800MHz 频段内的 CISPR 11 辐射发射。在 AMC131M03 EVM 上使用 8.192MHz 时钟频率执行此测量。BAW 振荡器在时钟频率的偶次谐波中辐射的功率要小得多,并且在奇时钟谐波中发射的峰值功率也要小得多。
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