LMG5200 80V、10A GaN 半桥功率级

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1 特性

LMG5200 器件集成了 80V、10A 驱动器和 GaN 半桥功率级，采用增强模式氮化镓 (GaN) FET 提供了一套集成功率级解决方案。该器件包含两个 80V GaN FET，它们由采用半桥配置的同一高频 GaN FET 驱动器提供驱动。

GaN FET 在功率转换方面的优势显著，因为其反向恢复电荷几乎为零，输入电容 C_ISS 也非常小。所有器件均安装在一个完全无键合线的封装平台上，尽可能减少了封装寄生元件数。LMG5200 器件采用 6mm × 8mm × 2mm 无铅封装，可轻松安装在 PCB 上。

该器件的输入与 TTL 逻辑兼容，无论 VCC 电压如何，都能够承受高达 12V 的输入电压。专有的自举电压钳位技术确保了增强模式 GaN FET 的栅极电压处于安全的工作范围内。

该器件配有用户友好型接口且更为出色，进一步提升了分立式 GaN FET 的优势。对于具有高频、高效操作及小尺寸要求的应用而言，该器件堪称理想的解决方案。与 TPS53632G 控制器搭配使用时，LMG5200 能够直接将 48V 电压转换为负载点电压 (0.5-1.5V)。

器件型号	封装	封装尺寸（标称值）
LMG5200	QFM (9)	6.00mm × 8.00mm

Changes from C Revision (December 2016) to D Revision

Changes from B Revision (January 2016) to C Revision

Changes from A Revision (March 2015) to B Revision

Changes from * Revision (March 2015) to A Revision

MOF Package

9-Pin QFM

Top View

PIN		I/O⁽¹⁾	DESCRIPTION
NAME	NO.	I/O⁽¹⁾	DESCRIPTION
AGND	7	G	Analog ground. Ground of driver device.
HB	2	P	High-side gate driver bootstrap rail.
HI	4	I	High-side gate driver control input
HS	3	P	High-side GaN FET source connection
LI	5	I	Low-side driver control input
PGND	9	G	Power ground. Low-side GaN FET source. Electrically shorted to AGND pin.
SW	8	P	Switching node. Electrically shorted to HS pin. Ensure low capacitance at this node on PCB.
VCC	6	P	5-V positive gate drive supply
VIN	1	P	Input voltage pin. Electrically connected to high-side GaN FET drain.

(1) I = Input, O = Output, G = Ground, P = Power