DATA SHEET
具有过流保护功能的 LMG341xR050 600V 50mΩ 集成式 GaN 功率级
本资源的原文使用英文撰写。 为方便起见，TI 提供了译文；由于翻译过程中可能使用了自动化工具，TI 不保证译文的准确性。 为确认准确性，请务必访问 ti.com 参考最新的英文版本（控制文档）。
1 特性
- TI GaN 工艺通过了实际应用硬开关任务剖面可靠性加速测试
- 支持高密度电源转换设计
- 与共源共栅或独立 GaN FET 相比具有卓越的系统性能
- 低电感 8mm x 8mm QFN 封装简化了设计和布局
- 可调节驱动强度确保开关性能和 EMI 控制
- 数字故障状态输出信号
- 仅需 +12V 非稳压电源
- 集成栅极驱动器
- 零共源电感
- 20ns 传播延迟，确保 MHz 级工作频率
- 工艺经过调整的栅极偏置电压，确保可靠性
- 25V/ns 至 100V/ns 的用户可调节压摆率
- 强大的保护
- 无需外部保护组件
- 过流保护，响应时间低于 100ns
- 压摆率抗扰性高于 150V/ns
- 瞬态过压抗扰度
- 过热保护
- 针对所有电源轨的 UVLO 保护
- 强大的保护
- LMG3410R050：锁存过流保护
- LMG3411R050：逐周期过流保护