DATA SHEET
适用于 SiC/IGBT 且具有高级保护功能和高 CMTI 的 UCC21732-Q1 单通道隔离式栅极驱动器
本资源的原文使用英文撰写。 为方便起见，TI 提供了译文；由于翻译过程中可能使用了自动化工具，TI 不保证译文的准确性。 为确认准确性，请务必访问 ti.com 参考最新的英文版本（控制文档）。
1 特性
- 单通道 SiC/IGBT 隔离式栅极驱动器
- 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 应用 （计划的认证）
- 高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT
- 33V 最大输出驱动电压 (VDD-COM)
- 高峰值驱动电流和高 CMTI
- 有源米勒钳位
- RDY 上的 UVLO（具有电源正常指示功能）
- 小传播延迟和脉冲/器件间偏移
- 工作温度范围为 –40°C 至 125°C
- 安全相关认证（计划）：
- 符合 DIN V VDE V 0884-11 (VDE V 0884-11):2017-01 标准的 8000VPK VIOTM 和 2121VPK VIORM 增强型隔离
- 符合 UL1577 标准、长达 1 分钟的 5700VRMS 隔离