1 特性

• 单通道 SiC/IGBT 隔离式栅极驱动器
• 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 应用 （计划的认证）
• 高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT
• 33V 最大输出驱动电压 (VDD-COM)
• 高峰值驱动电流和高 CMTI
• 有源米勒钳位
• RDY 上的 UVLO（具有电源正常指示功能）
• 小传播延迟和脉冲/器件间偏移
• 工作温度范围为 –40°C 至 125°C
• 安全相关认证（计划）：
  • 符合 DIN V VDE V 0884-11 (VDE V 0884-11):2017-01 标准的 8000V_PK V_IOTM 和 2121V_PK V_IORM 增强型隔离
  • 符合 UL1577 标准、长达 1 分钟的 5700V_RMS 隔离