ZHCSEN0A February 2016 – September 2016 TLV2316 , TLV316 , TLV4316
PRODUCTION DATA.
- 1 特性
- 2 应用范围
- 3 说明
- 4 修订历史记录
- 5 Device Comparison Table
- 6 Pin Configuration and Functions
- 7 Specifications
- 8 Detailed Description
- 9 Application and Implementation
- 10Power Supply Recommendations
- 11Layout
- 12器件和文档支持
- 13机械、封装和可订购信息
1 特性
- 单位增益带宽：10MHz
- 低 IQ：每通道 400µA
- 出色的功率带宽比
- 在温度和电源电压范围内保持稳定的 IQ
- 宽电源电压范围：1.8V 至 5.5V
- 低噪声：1kHz 时为 12nV/√Hz
- 低输入偏置电流：±10pA
- 偏移电压：±0.75mV
- 单位增益稳定
- 内部射频干扰 (RFI)/电磁干扰 (EMI) 滤波器
- 扩展温度范围：-40°C 至 +125°C
2 应用范围
- 电池供电仪器：
- 消费类应用、工业应用、医疗应用
- 笔记本电脑、便携式媒体播放器
- 传感器信号调节
- 条形码扫描器
- 有源滤波器
- 音频
3 说明
TLV316（单路）、TLV2316（双路）和 TLV4316（四路）器件构成了低功耗、通用运算放大器系列。该系列器件 特有轨到轨输入和输出摆幅，并且兼具低静态电流（每通道的典型值为 400μA）、10MHz 的较宽带宽和超低噪声（1kHz 时为 12 nV/√Hz），因此对于要求在成本和性能间达到良好平衡的各类电池供电 应用 而言极具吸引力。低输入偏置电流支持在 源阻抗高达兆欧级的 应用中使用此类运算放大器。
TLVx316 采用稳健耐用的设计，方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定的集成 RFI/EMI 抑制滤波器，在过驱条件下不会出现反相，并且具有高静电放电 (ESD) 保护 (4kV HBM)。
此类器件经过优化，适合在 1.8V (±0.9V) 至 5.5V (±2.75V) 的低电压状态下工作。这些最新补充的低电压互补金属氧化物半导体 (CMOS) 运算放大器与 TLVx313 和 TLVx314 系列搭配，为用户提供了广泛的带宽、噪声和功率选择，可以满足各种 应用的需求。
器件信息(1)
| 器件型号 | 封装 | 封装尺寸（标称值） |
|---|---|---|
| TLV316 | SC70 (5) | 1.25mm × 2.00mm |
| SOT-23 (5) | 1.60mm x 2.90mm | |
| TLV2316 | VSSOP (8) | 3.00mm × 3.00mm |
| SOIC (8) | 3.91mm x 4.90mm | |
| TLV4316 | TSSOP (14) | 4.40mm × 5.00mm |
| SOIC (14) | 8.65mm x 3.91mm |
- 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购米6体育平台手机版_好二三四附录。
单极低通滤波器
10MHz 带宽下的低电源电流（400µA/通道）