用于 SuperSpeed（速率高达 6Gbps）接口的 TPDxE05U06-Q1 1 通道和 4 通道 ESD 保护二极管

1 特性

• 符合 AEC-Q101
  • 人体放电模型 (HBM) 分类等级 H3B
  • 充电器件模型 (CDM) 分类等级 C5
  • 器件温度范围：–40°C 至 +125°C
• IEC 61000-4-2 4 级 ESD 保护
  （请参阅 ESD Ratings—IEC Specification 表）
  • ±12kV 接触放电
  • ±15kV 气隙放电
• IEC 61000-4-4 瞬态放电 (EFT) 保护
  • 80A (5/50ns)
• IEC 61000-4-5 浪涌保护
  • 2.5A (8/20µs)
• I/O 电容 0.42pF 至 0.5pF（典型值）
• 直流击穿电压 6.4V（最小值）
• 超低漏电流 10nA（最大值）
• 低 ESD 钳位电压（在 5A TLP 下为 14V）
• 简易直通路由封装

2 应用

• 终端设备
  • 音响主机
  • 后座娱乐系统
  • 远程信息处理
  • USB 集线器
  • 导航模块
  • 媒体接口
• 接口
  • USB 2.0
  • USB 3.0
  • HDMI 1.4/2.0
  • 低压差分信令 (LVDS)
  • DisplayPort
  • SIM 卡

3 说明

TPDxE05U06-Q1 是一系列具有超低电容的单向瞬态电压抑制器 (TVS) 静电放电 (ESD) 保护二极管。这些器件旨在耗散那些高于 IEC61000-4-2 4 级国际标准中规定的最高水平的 ESD 冲击。超低负载电容特性使得这些器件非常适合保护任何高达 6Gbps 的高速 信号 应用。

这些器件还具有未经过汽车认证的型号：TPDxE05U06。

1. 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购米6体育平台手机版_好二三四附录。

TPD4E05U06-Q1 简化原理图

TPD4E05U06-Q1 框图

4 修订历史记录

Changes from A Revision (August 2014) to B Revision

• 添加了 1 通道 (TPD1E05U06-Q1) 封装Go
• Added DPY package information in Thermal Information tableGo
• Added DPY package Dynamic resistance in Electrical Characteristics tableGo
• Added DPY package Line capacitance in Electrical Characteristics tableGo

Changes from B Revision (August 2016) to C Revision

• Changed 在引脚配置和功能 部分中添加了 DPY 封装引脚配置Go

Changes from * Revision (August 2014) to A Revision

• 在“特性”中添加了内容（请参阅 ESD Ratings—IEC Specification 表）：IEC 61000-4-2 4 级 ESD 保护Go

5 Pin Configuration and Functions

DPY Package

2-Pin X1SON

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DQA Package

10-Pin USON

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