1 特性

• 发送器支持：
  • 16 通道三级或 8 通道五级脉冲发生器和有源发送/接收 (T/R) 开关
  • 超低功耗片上波束形成模式（五级模式）：
    • 在仅接收模式下：17mW
    • 在发送/接收模式下：598mW
    • 在 CW 模式下（0.6A 模式）：1.97W
    • 在全局断电模式下：4.3mW
• 三级/五级脉冲发生器：
  • 最大输出电压：±100V
  • 最小输出电压：±1V
  • 最大输出电流：2.4A 至 0.6A
  • 最大钳位电流：1A 至 0.25A（在三级模式下）
  • 最大钳位电流：2A 至 0.5A（在五级模式下）
  • 第二谐波在 5MHz 时为 –45dBc
  • CW 模式抖动：频率为 100Hz 至 20kHz 时测量的值为 100fs
  • CW 模式近端相位噪声：5MHz 信号（1kHz 偏移）时为 –154dBc/Hz
  • 在五级模式下支持 4.8A 模式
  • –3dB 带宽，1kΩ || 240pF 负载
    • 20MHz（针对 2.4A 模式下的 ±100V 电源）
    • 36MHz（针对 4.8A 模式下的 ±100V 电源）
    • 25MHz（针对 2.4A 模式下的 ±70V 电源）
• 有源发送/接收 (T/R) 开关，具有：
  • 开/关控制信号
  • 导通电阻为 12Ω
  • 带宽： 50MHz
  • HD2：-50dBc
  • 导通时间：0.5µs
  • 关断时间：1.75μs
  • 瞬态干扰：50mV_PP
• 片外波束形成器，具有：
  • 使用同步功能实现抖动消除
  • 最高同步时钟频率：200MHz
• 片上波束形成器，具有：
  • 延迟分辨率：一个波束形成器时钟周期，最低 5ns
  • 最大延迟：2¹³ 个波束形成器时钟周期
  • 最高波束形成器时钟速度：200MHz
  • 用于存储的片上 RAM
    • 16 个延迟分布
    • 对于三级和五级模式，分别具有 48/28 个图形分布
• 高速（最高 100MHz）1.8V 和 2.5V CMOS 串行编程接口
• 自动热关断
• 在三级模式下无需特定电源排序
• 小型封装：NFBGA-216 (15mm × 10mm)，间距为 0.8mm