DATA SHEET
UCC21756-Q1 适用于 SiC/IGBT 并具有主动保护、隔离式模拟感应和高 CMTI 的汽车类 10A 拉电流/灌电流增强型隔离式单通道栅极驱动器
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1 特性
- 5.7kVRMS 单通道隔离式栅极驱动器
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
- 器件温度等级 0：-40°C 至 +150°C 环境工作温度范围
- 器件 HBM ESD 分类等级 3A
- 器件 CDM ESD 分类等级 C6
- 功能安全质量管理型
- 高达 2121Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
- 33V 最大输出驱动电压 (VDD-VEE)
- ±10A 驱动强度和分离输出
- 150V/ns 最小 CMTI
- 具有 200ns 快速响应时间和 5V 阈值的 DESAT 保护
- 4A 内部有源米勒钳位
- 发生故障时的 900mA 软关断
- 具有 PWM 输出的隔离式模拟传感器
- 采用 NTC、PTC 或热敏二极管进行温度感应
- 高电压直流链路或相电压
- 过流警报 FLT 和通过 RST/EN 重置
- 针对 RST/EN 的快速启用/禁用响应
- 抑制输入引脚上的 <40ns 噪声瞬态和脉冲
- RDY 上的 12V VDD UVLO（具有电源正常指示功能）
- 具有高达 5V 过冲/欠冲瞬态电压抗扰度的输入/输出
- 130ns（最大）传播延迟和 30ns（最大）脉冲/器件间偏移
- SOIC-16 DW 封装，爬电距离和间隙 > 8mm
- 工作结温范围：-40°C 至 +150°C