JAJSGD1B October   2018  – December 2018 INA901-SP

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
    1.     Device Images
      1.      概略回路図
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 概要（続き）
  6. 6 Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  7. 7 Specifications
    1. 7.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 7.2 ESD Ratings
    3. 7.3 Recommended Operating Conditions
    4. 7.4 Thermal Information
    5. 7.5 Electrical Characteristics
    6. 7.6 Quality Conformance Inspection
    7. 7.7 Typical Characteristics
  8. 8 Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 Basic Connection
      2. 8.3.2 Selecting RS
      3. 8.3.3 Transient Protection
    4. 8.4 Device Functional Modes
      1. 8.4.1 First- or Second-Order Filtering
      2. 8.4.2 Accuracy Variations as a Result of VSENSE and Common-Mode Voltage
        1. 8.4.2.1 Normal Case 1: VSENSE ≥ 20 mV, VCM ≥ VS
        2. 8.4.2.2 Normal Case 2: VSENSE ≥ 20 mV, VCM < VS
        3. 8.4.2.3 Low VSENSE Case 1: VSENSE < 20 mV, –16 V ≤ VCM < 0; and Low VSENSE Case 3: VSENSE < 20 mV, VS < VCM ≤ 80 V
        4. 8.4.2.4 Low VSENSE Case 2: VSENSE < 20 mV, 0 V ≤ VCM ≤ VS
  9. 9 Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Design Requirements
      2. 9.2.2 Detailed Design Procedure
      3. 9.2.3 Application Curves
  10. 10Power Supply Recommendations
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
      1. 11.1.1 RFI and EMI
    2. 11.2 Layout Example
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 ドキュメントのサポート
      1. 12.1.1 関連資料
    2. 12.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 12.3 コミュニティ・リソース
    4. 12.4 商標
    5. 12.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 12.6 Glossary
  13. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

1 特長

  • 5962-1821001
    • 放射線耐性保証(RHA)
      低線量率で100krad(Si)
    • 単一イベント・ラッチアップ(SEL)耐性
      125°Cで93MeV-cm2/mgまで
    • 軍事用温度範囲(-55°C～125°C)で認定済み
    • 高性能の8ピン・セラミック・フラット・パック・パッケージ(HKX)
  • 広い同相電圧範囲: -15V～80V
  • CMRR: 120dB
  • 精度
    • オフセット：±0.5mV
    • ゲイン誤差：±0.2%
    • オフセット・ドリフト：2.5µV/°C
    • ゲイン・ドリフト：50ppm/°C
  • 帯域幅：最大130kHz
  • ゲイン: 20V/V
  • 静止電流：700µA
  • 電源: 2.7V～16V
  • フィルタリング用の機構
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