JAJSGX9B August   2018  – January 2020 TLV1805-Q1

PRODUCTION DATA.  

  1. 特長
  2. アプリケーション
  3. 概要
    1.     Device Images
      1.      N チャネル MOSFET による逆電流保護
      2.      P チャネル MOSFET による逆電流および過電圧保護
  4. 改訂履歴
  5. Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  6. Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Switching Characteristics
    7. 6.7 Typical Characteristics
  7. Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 Rail to Rail Inputs
      2. 7.3.2 Power On Reset
      3. 7.3.3 High Power Push-Pull Output
      4. 7.3.4 Shutdown Function
      5. 7.3.5 Internal Hysteresis
    4. 7.4 Device Functional Modes
      1. 7.4.1 External Hysteresis
        1. 7.4.1.1 Inverting Comparator With Hysteresis
        2. 7.4.1.2 Noninverting Comparator With Hysteresis
  8. Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Applications
      1. 8.2.1 Design Requirements
      2. 8.2.2 Detailed Design Procedure
      3. 8.2.3 Application Curve
      4. 8.2.4 Reverse Current Protection Using MOSFET and TLV1805-Q1
        1. 8.2.4.1 Minimum Reverse Current
        2. 8.2.4.2 N-Channel Reverse Current Protection Circuit
          1. 8.2.4.2.1 N-Channel Oscillator Circuit
      5. 8.2.5 P-Channel Reverse Current Protection Circuit
      6. 8.2.6 P-Channel Reverse Current Protection With Overvotlage Protection
      7. 8.2.7 ORing MOSFET Controller
  9. Power Supply Recommendations
  10. 10Layout
    1. 10.1 Layout Guidelines
    2. 10.2 Layout Example
  11. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 ドキュメントのサポート
      1. 11.1.1 関連資料
    2. 11.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 11.3 サポート・リソース
    4. 11.4 商標
    5. 11.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 11.6 Glossary
  12. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

特長

  • 次の結果で AEC-Q100 認定済み
    • デバイス温度グレード 1:動作時周囲温度 -40°C~+125°C
    • デバイスHBM ESD分類レベル2
    • デバイスCDM ESD分類レベルC6
  • 電源電圧範囲:3.3V~40V
  • 低い静止電流: 135µA
  • ピーク電流の大きいプッシュプル出力
  • 位相反転保護機能付きのレール・ツー・レール入力
  • 内蔵ヒステリシス:14mV
  • 伝搬遅延時間:250ns
  • 低い入力オフセット電圧:500µV
  • ハイ・インピーダンス出力のシャットダウン
  • パワーオン・リセット (POR)
  • SOT-23-6 パッケージ