JAJSCR2 December 2016 CSD18543Q3A
PRODUCTION DATA.
パッケージ・オプション
デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。
メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
- DNH|8
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報
1 特長
- 非常に低いQgおよびQgd
- 低いRDS(on)
- 低い熱抵抗
- アバランシェ定格
- 鉛不使用
- RoHS準拠
- ハロゲン不使用
- SON 3.3mm×3.3mmプラスチック・パッケージ
2 アプリケーション
- ソリッドステート・リレー・スイッチ
- DC/DC変換
- 2次側同期整流
- 絶縁コンバータの1次側スイッチ
- モータ制御
3 概要
この60V、8.1mΩ、SON 3.3mm×3.3mm NexFET™パワーMOSFETは、電力変換アプリケーションにおいて損失を最小限に抑えるよう設計されています。
上面図
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製品概要
| TA = 25°C | 標準値 | 単位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | ドレイン-ソース間電圧 | 60 | V | |
| Qg | 総ゲート電荷量(10V) | 11.1 | nC | |
| Qgd | ゲート-ドレイン間ゲート電荷量 | 1.7 | nC | |
| RDS(on) | ドレイン-ソース間オン抵抗 | VGS = 4.5V | 12.0 | mΩ |
| VGS = 10V | 8.1 | |||
| VGS(th) | スレッショルド電圧 | 2.0 | V | |
製品情報(1)
| デバイス | メディア | 数量 | パッケージ | 出荷 |
|---|---|---|---|---|
| CSD18543Q3A | 13インチ・リール | 2500 | SON 3.30mm×3.30mm プラスチック・パッケージ |
テープ・アンド・リール |
| CSD18543Q3AT | 7インチ・リール | 250 |
- 提供されているすべてのパッケージについては、巻末の注文情報を参照してください。
絶対最大定格
| TA = 25°C | 値 | 単位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | ドレイン-ソース間電圧 | 60 | V |
| VGS | ゲート-ソース間電圧 | ±20 | V |
| ID | 連続ドレイン電流(パッケージ制限) | 35 | A |
| 連続ドレイン電流(シリコン制限)、TC = 25°C | 60 | ||
| 連続ドレイン電流(1) | 12 | ||
| IDM | パルス・ドレイン電流(2) | 156 | A |
| PD | 消費電力(1) | 2.8 | W |
| 消費電力、TC = 25°C | 66 | ||
| TJ、 Tstg |
動作時の接合部、 保管温度 |
–55～150 | °C |
| EAS | アバランシュ・エネルギー、単一パルス ID = 33A、L = 0.1mH、RG = 25Ω |
55 | mJ |
- 厚さ0.06inのFR4 PCB上に構築された面積1in2、2オンスのCuパッド上で、標準値RθJA = 45℃/W
- 最大RθJC = 1.9℃/W、パルス期間 ≤ 100μs、デューティ・サイクル ≤ 1%
RDS(on)とVGSとの関係 |
ゲート電荷 |