JAJSD76 May 2017 CSD22206W
PRODUCTION DATA.
1 特長
- 非常に低い抵抗
- 1.5mm×1.5mmの小さな占有面積
- 鉛不使用
- ゲートESD保護
- RoHS準拠
- ハロゲン不使用
- ゲート・ソース電圧クランプ
2 アプリケーション
- 負荷スイッチ・アプリケーション
- バッテリ管理
- バッテリ保護
3 概要
この-8V、4.7mΩ、1.5mm×1.5mmデバイスは、可能な限り小さな外形で、最低のオン抵抗とゲート電荷を実現し、非常に低いプロファイルで優れた熱特性を持つよう設計されています。低いオン抵抗と、小さな占有面積および低いプロファイルから、このデバイスはバッテリ駆動で容積の制限されるアプリケーションに理想的です。
上面図と回路の構成
製品概要
| TA = 25°C | 標準値 | 単位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | ドレイン-ソース間電圧 | -8 | V | |
| Qg | ゲートの合計電荷(-4.5V) | 11.2 | nC | |
| Qgd | ゲート電荷、ゲート-ドレイン間 | 1.8 | nC | |
| RDS(on) | ドレイン-ソース間オン抵抗 | VGS = -2.5V | 6.8 | mΩ |
| VGS = -4.5V | 4.7 | |||
| VGS(th) | スレッショルド電圧 | -0.7 | V | |
製品情報
| デバイス | 数量 | メディア | パッケージ | 出荷 |
|---|---|---|---|---|
| CSD22206W | 3000 | 7インチ・リール | 1.50mm×1.50mm ウェハーBGAパッケージ |
テープ・アンド・リール |
| CSD22206WT | 250 |
絶対最大定格
| TA = 25°C | 値 | 単位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | ドレイン-ソース間電圧 | -8 | V |
| VGS | ゲート-ソース間電圧 | -6 | V |
| ID | 連続ドレイン電流(1) | -5 | A |
| パルス・ドレイン電流(2) | -108 | A | |
| PD | 消費電力 | 1.7 | W |
| TJ、 Tstg |
動作時の接合部、 保管温度 |
–55～150 | °C |
- 105℃でのデバイス動作時
- 標準RθJA = 75℃/W、FR4材質上に実装、最大Cu実装面積、パルス幅 ≤ 100μs、デューティ・サイクル ≤ 1%
RDS(on)とVGSとの関係 |
ゲート電荷 |