JAJSD33 April 2017 CSD87313DMS
PRODUCTION DATA.
パッケージ・オプション
デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。
メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
- DMS|8
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報
1 特長
- 低いソース間オン抵抗
- デュアル共通ドレインNチャネルMOSFET
- 5Vゲートの駆動に最適化
- 低いQgおよびQgd
- 低い熱抵抗
- アバランシェ定格
- 鉛フリーの端子メッキ処理
- RoHS準拠
- ハロゲン不使用
- SON 3.3mm×3.3mmプラスチック・パッケージ
2 アプリケーション
- USB Type-C™および電力供給(PD) VBus保護
- バッテリ保護
- ロード・スイッチ
3 概要
CSD87313DMSは30Vの共通ドレイン、デュアルNチャネル・デバイスで、USB Type-C/PDおよびバッテリ保護用に設計されています。このSON 3.3mm×3.3mmデバイスはソース間のオン抵抗が低いため損失が最小化され、部品数が少なくなるため、スペースの制約があるアプリケーションに適しています。
回路図
製品概要
| TA = 25°C | 値 | 単位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VS1S2 | ソース1-ソース2間電圧 | 30 | V | |
| Qg | ゲートの合計電荷(4.5V) | 28 | nC | |
| Qgd | ゲート電荷、ゲート-ドレイン間 | 6.0 | nC | |
| RS1S2(on) | ソース1-ソース2間最大オン抵抗 | VGS = 2.5V | 9.6 | mΩ |
| VGS = 4.5V | 5.5 | |||
| VGS(th) | スレッショルド電圧 | 0.9 | V | |
製品情報(1)
| デバイス | 数量 | メディア | パッケージ | 出荷 |
|---|---|---|---|---|
| CSD87313DMS | 2500 | 13インチ・リール | SON 3.30mm×3.30mm プラスチック・パッケージ |
テープ・アンド・リール |
| CSD87313DMST | 250 | 7インチ・リール |
- 提供されているすべてのパッケージについては、巻末の注文情報を参照してください。
絶対最大定格
| TA = 25°C (特記のない限り) | 値 | 単位 | |
|---|---|---|---|
| VS1S2 | ソース1-ソース2間電圧 | 30 | V |
| VGS | ゲート-ソース間電圧(1) | ±10 | V |
| IS1S2 | 連続ソース電流(2) | 17 | A |
| ISM | パルス・ソース電流、TA = 25℃(2)(3) | 120 | A |
| PD | 消費電力(2) | 2.7 | W |
| 消費電力(4) | 1 | ||
| TJ、Tstg | 動作時の接合部、 保管温度 |
–55～150 | °C |
| EAS | アバランシェ・エネルギー、単一パルス、 ID = 37A、L = 0.1mH、RG = 25Ω |
67 | mJ |
- VG1S1は±10V、VG2S2は±10Vを超えないこと
- 0.06in (1.52mm)厚のFR4 PCB上の面積1in2 (6.45cm2)、2oz (0.071mm)厚のCuパッドで、標準RθJA = 45℃/Wの場合
- デューティ・サイクル ≤ 2%、パルス期間 ≤ 300µs
- 最低2ozのCUパッド上で、標準RθJA = 125℃/Wの場合
RS1S2(ON)とVGSとの関係 |
ゲート電荷 |