JAJSCI8 September 2016 ISO5452-Q1
PRODUCTION DATA.
- 1 特長
- 2 アプリケーション
- 3 概要
- 4 改訂履歴
- 5 概要（続き）
- 6 Pin Configuration and Function
-
7 Specifications
- 7.1 Absolute Maximum Ratings
- 7.2 ESD Ratings
- 7.3 Recommended Operating Conditions
- 7.4 Thermal Information
- 7.5 Power Rating
- 7.6 Insulation Characteristics
- 7.7 Safety Limiting Values
- 7.8 Safety-Related Certifications
- 7.9 Electrical Characteristics
- 7.10 Switching Characteristics
- 7.11 Safety and Insulation Characteristics Curves
- 7.12 Typical Characteristics
- 8 Parameter Measurement Information
- 9 Detailed Description
-
10Application and Implementation
- 10.1 Application Information
- 10.2
Typical Applications
- 10.2.1 Design Requirements
- 10.2.2
Detailed Design Procedure
- 10.2.2.1 Recommended ISO5452-Q1 Application Circuit
- 10.2.2.2 FLT and RDY Pin Circuitry
- 10.2.2.3 Driving the Control Inputs
- 10.2.2.4 Local Shutdown and Reset
- 10.2.2.5 Global-Shutdown and Reset
- 10.2.2.6 Auto-Reset
- 10.2.2.7 DESAT Pin Protection
- 10.2.2.8 DESAT Diode and DESAT Threshold
- 10.2.2.9 Determining the Maximum Available, Dynamic Output Power, POD-max
- 10.2.2.10 Example
- 10.2.2.11 Higher Output Current Using an External Current Buffer
- 10.2.3 Application Curve
- 11Power Supply Recommendations
- 12Layout
- 13デバイスおよびドキュメントのサポート
- 14メカニカル、パッケージ、および注文情報
パッケージ・オプション
デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。
メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
- DW|16
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報
1 特長
- 車載アプリケーションに対応
- 下記内容でAEC-Q100認定済み：
- デバイス温度グレード 1: 動作時周囲温度 –40℃～125℃ 範囲
- デバイスHBM分類レベル3A
- デバイスCDM分類レベルC6
- 同相過渡耐圧(CMTI): 50kV/μs (最小値)、100kV/μs (標準値)
(VCM = 1500V) - 分割出力により2.5Aのピーク・ソースおよび
5Aのピーク・シンク電流を供給 - 短い伝搬遅延: 76ns (標準値)、
110ns (最大値) - 2Aのアクティブ・ミラー・クランプ
- 出力短絡クランプ
- 短絡時のソフト電源オフ(STO)機能
- 不飽和化検出時のフォルト・アラームはFLTにより通知され、RSTによりリセット
- 入出力低電圧誤動作防止(UVLO)、レディ(RDY)ピンによる標示付き
- 低電源またはフローティング入力時のアクティブ出力プルダウンおよびデフォルトLOW出力
- 入力電源電圧: 2.25V～5.5V
- 出力ドライバ供給電圧: 15V～30V
- CMOS互換の入力
- 20ns未満の入力パルスと過渡ノイズを除去
- 絶縁サージ耐久電圧: 10000VPK
- 安全性および規制の認定
- 8000VPK VIOTMおよび1420VPK VIORMの、DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12準拠の強化絶縁
- UL1577準拠で5700VRMSにおいて1分間の絶縁
- CSA Component Acceptance Notice 5A、IEC-60950-1、およびIEC 60601-1最終機器標準
- EN 61010-1およびEN 60950-1準拠のTUV認定
- GB4943.1-2011 CQC認定
- UL、VDE、CQC、TUV準拠の認定は完了、CSAは計画中
2 アプリケーション
- 次のような用途の絶縁IGBTおよびMOSFETドライブ:
- HEVおよびEVの電源モジュール
- 産業用モータ制御ドライブ
- 産業用電源
- ソーラー・インバータ
- 誘導加熱
3 概要
ISO5452-Q1デバイスは、5.7kVRMS、IGBTおよびMOSFET用の強化絶縁ゲート・ドライバで、分割出力のOUTHとOUTLがあり、2.5Aのソース電流と5Aのシンク電流を供給できます。入力側は、単一の2.25V～5.5V電源で動作します。出力側は、最低15V、最高30Vの電源を供給できます。
2つの相補CMOS入力により、ゲート・ドライバの出力状態が制御されます。伝搬時間が76nsと短いため、出力ステージを正確に制御できます。
内部不飽和化(DESAT)フォルト検出により、IGBTが過電流状況にあることが認識されます。DESATが検出されると、ミュート・ロジックによりアイソレータの出力がただちにブロックされ、ソフト電源オフ手順が開始されて、OUTHピンがディセーブルされ、OUTLピンが2μsの間LOWになります。
OUTLピンが、負の方向に最も大きい供給電圧であるVEE2との比較で2Vに達すると、ゲート・ドライバ出力がVEE2の電位に強制的に設定され、IGBTはただちにオフになります。
製品情報(1)
| 型番 | パッケージ | 本体サイズ(公称) |
|---|---|---|
| ISO5452-Q1 | SOIC (16) | 10.30mm×7.50mm |
- 提供されているすべてのパッケージについては、巻末の注文情報を参照してください。
機能ブロック図
4 改訂履歴
| 日付 | 改訂内容 | 注 |
|---|---|---|
| 2016年9月 | * | 初版 |