1 特長

• エンハンスメント・モードの窒化ガリウムFET（eGANFET）
• シングル電源VDD電圧範囲：4V～18V
• 駆動電圧VREFを5Vに制御
• 駆動ピーク電流：4Aソース、6Aシンク
• プルアップおよびプルダウン抵抗：1Ωおよび0.35Ω（高スルーレートでのdV/dt耐性を最大化）
• 分割出力構成（各FETのターンオンおよびターンオフ時間を最適化可能）
• 高速伝搬遅延（標準14ns）
• 高速立ち上がり/立ち下がり時間（標準9ns/5ns）
• TTLおよびCMOS互換入力（電源電圧から独立し、デジタルおよびアナログ・コントローラへのインターフェイスが容易）
• デュアル入力設計によって駆動の柔軟性を向上（反転および非反転構成）
• 入力のフローティング時は出力をLowに保持
• VDD低電圧誤動作防止（UVLO）
• eGANFETのフットプリントに対して最適化されたピン配置により、レイアウトが容易
• 露出したサーマル/グランド・パッドを備えた2.00mm×2.00mmのSON-6パッケージ（寄生インダクタンスの最小化によってゲートのリンギングを低減）
• 動作温度範囲：–40°C～140°C