JAJSE12A October   2017  – October 2017 TPS92830-Q1

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
    1.     概略回路図
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 概要(続き)
  6. 6 Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  7. 7 Specifications
    1. 7.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 7.2 ESD Ratings
    3. 7.3 Recommended Operating Conditions
    4. 7.4 Thermal Information
    5. 7.5 Electrical Characteristics
    6. 7.6 Timing Requirements
    7. 7.7 Typical Characteristics
  8. 8 Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 Device Bias
        1. 8.3.1.1 Power-On-Reset (POR)
        2. 8.3.1.2 Current Reference (IREF)
        3. 8.3.1.3 Low-Current Fault Mode
      2. 8.3.2 Charge Pump
        1. 8.3.2.1 Charge Pump Architecture
      3. 8.3.3 Constant-Current Driving
        1. 8.3.3.1 High-Side Current Sense
        2. 8.3.3.2 High-Side Current Driving
        3. 8.3.3.3 Gate Overdrive Voltage Protection
        4. 8.3.3.4 High-Precision Current Regulation
        5. 8.3.3.5 Parallel MOSFET Driving
      4. 8.3.4 PWM Dimming
        1. 8.3.4.1 Supply Dimming
        2. 8.3.4.2 PWM Dimming by Input
        3. 8.3.4.3 Internal Precision PWM Generator
        4. 8.3.4.4 Full Duty-Cycle Switch
      5. 8.3.5 Analog Dimming
        1. 8.3.5.1 Analog Dimming Topology
        2. 8.3.5.2 Internal High-Precision Pullup Current Source
      6. 8.3.6 Output Current Derating
        1. 8.3.6.1 Output-Current Derating Topology
      7. 8.3.7 Diagnostics and Fault
        1. 8.3.7.1 LED Short-to-GND Detection
        2. 8.3.7.2 LED Short-to-GND Auto Retry
        3. 8.3.7.3 LED Open-Circuit Detection
        4. 8.3.7.4 LED Open-Circuit Auto Retry
        5. 8.3.7.5 Dropout-Mode Diagnostics
        6. 8.3.7.6 Overtemperature Protection
        7. 8.3.7.7 FAULT Bus Output With One-Fails–All-Fail
        8. 8.3.7.8 Fault Table
    4. 8.4 Device Functional Modes
      1. 8.4.1 Undervoltage Lockout, V(IN) < V(UVLO)
      2. 8.4.2 Normal Operation (V(IN) ≥ 4.5 V, V(IN) > V(LED) + 0.5 V)
      3. 8.4.3 Low-Voltage Dropout
      4. 8.4.4 Fault Mode (Fault Is Detected)
  9. 9 Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Applications
      1. 9.2.1 Typical Application for Automotive Exterior Lighting With One-Fails–All-Fail
        1. 9.2.1.1 Design Requirements
        2. 9.2.1.2 Detailed Design Procedure
        3. 9.2.1.3 Application Curves
      2. 9.2.2 High-Precision Dual-Brightness PWM Generation
        1. 9.2.2.1 Dual-Brightness Application
        2. 9.2.2.2 Design Requirements
        3. 9.2.2.3 Detailed Design Procedure
        4. 9.2.2.4 Application Curve
      3. 9.2.3 Driving High-Current LEDs With Parallel MOSFETs
        1. 9.2.3.1 Application Curves
  10. 10Layout
    1. 10.1 Layout Guidelines
    2. 10.2 Layout Example
  11. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 11.2 コミュニティ・リソース
    3. 11.3 商標
    4. 11.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 11.5 Glossary
  12. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

1 特長

  • AEC-Q100認定済み
    • デバイス温度グレード1: 動作時周囲温度範囲　　　　–40°C～125°C
    • デバイスHBM ESD分類レベルH2
    • デバイスCDM ESD分類レベルC4B
  • 広い入力電圧範囲: 4.5V～40V
  • 3チャネルのハイサイド電流駆動およびセンシング
    • チャネル独立の電流設定
    • チャネル独立のPWM入力
    • PWM入力および電源の両方によるPWM調光
    • EMCに対して最適化されたスルー・レート
  • 高精度のLED駆動
    • 外部NチャネルMOSFETによる高精度の電流レギュレーション(許容誤差2.5%)
    • 20:1のアナログ調光プロファイルとオフボードのビン抵抗サポート
    • 完全デューティ・サイクル・マスクを持つ高精度PWMジェネレータ(許容誤差2%)
    • オープン・ドレインのPWM出力による同期
  • 保護および診断機能
    • 外付けMOSFETの過熱保護用の可変出力電流ディレーティング
    • LEDストリングの開路または短絡の診断および自動回復機能
    • 診断イネーブルと可変スレッショルドによる低電圧動作
    • 最大15個のデバイスのフォルト・バス、どれか1つに障害が発生すれば全体を障害とするか、障害の発生したチャネルのみをオフにするかを選択可能
    • フォルト・モードでの低い静止電流(デバイスごとに0.75mA未満)
  • 動作時の接合部温度範囲: -40℃～150℃
  • TSSOP 28パッケージ(PW)
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