JAJSL62 February   2021 INA183

PRODUCTION DATA  

  1. 特長
  2. アプリケーション
  3. 概要
  4. Revision History
  5. Device Comparison
  6. Pin Configuration and Functions
  7. Specifications
    1. 7.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 7.2 ESD Ratings
    3. 7.3 Recommended Operating Conditions
    4. 7.4 Thermal Information
    5. 7.5 Electrical Characteristics
    6. 7.6 Typical Characteristics
  8. Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 Single-Supply Operation from IN+
      2. 8.3.2 Low Gain Error and Offset Voltage
      3. 8.3.3 Low Drift Architecture
    4. 8.4 Device Functional Modes
      1. 8.4.1 Normal Operation
      2. 8.4.2 Unidirectional, High-Side Operation
      3. 8.4.3 Input Differential Overload
  9. Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
      1. 9.1.1 RSENSE and Device Gain Selection
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Design Requirements
      2. 9.2.2 Detailed Design Procedure
      3. 9.2.3 Application Curve
  10. 10Power Supply Recommendations
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
    2. 11.2 Layout Example
  12. 12Device and Documentation Support
    1. 12.1 Documentation Support
      1. 12.1.1 Related Documentation
    2. 12.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 12.3 サポート・リソース
    4. 12.4 Trademarks
    5. 12.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 12.6 用語集
  13. 13Mechanical, Packaging, and Orderable Information

特長

  • 広い同相電圧範囲:2.7V~26 V
  • オフセット電圧:±170μV (最大値)
    (10mV フルスケールのシャント電圧降下に対応)
  • 精度:
    • ゲイン誤差±0.4% (温度域全体での最大値):
    • オフセット・ドリフト 0.5μV/℃ (最大値)
    • ゲイン・ドリフト 10ppm/℃ (最大値)
  • 選択可能なゲイン
    • INA183A1:50V/V
    • INA183A2:100V/V
    • INA183A3:200V/V
  • 静止電流:130μA 以下
  • パッケージ:5 ピン SOT-23