JAJSC59C September 2004 – September 2016 LM5112 , LM5112-Q1
PRODUCTION DATA.
- 1 特長
- 2 アプリケーション
- 3 概要
- 4 改訂履歴
- 5 Pin Configuration and Functions
- 6 Specifications
- 7 Detailed Description
- 8 Application and Implementation
- 9 Power Supply Recommendations
- 10Layout
- 11デバイスおよびドキュメントのサポート
- 12メカニカル、パッケージ、および注文情報
デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。
メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
- NGG|6
- DGN|8
サーマルパッド・メカニカル・データ
1 特長
- LM5112-Q1は車載アプリケーション用に認定済み
- AEC-Q100グレード1認定済み
- 車載用グレードのフローで製造
- CMOSとバイポーラの複合出力によって出力電流の変動を低減
- 7Aシンク、3Aソース電流
- 短い伝搬時間: 25ns (標準値)
- 短い立ち上がり/立ち下がり時間: 2nF負荷で
14nsまたは12ns - 反転および非反転入力により、単一のデバイスでどちらの構成も可能
- 電源レールの低電圧誤動作防止保護
- 専用の入力グランド・ピン(IN_REF)により
分割電源または単一電源で動作 - 電力拡張された6ピンのWSONパッケージ
(3mm×3mm)または放熱特性の優れた
MSOP-PowerPADパッケージ - VCCからVEE(入力グランドに対して負電圧)までの出力スイング
2 アプリケーション
- DC-DCスイッチ・モード電源
- AC-DCスイッチ・モード電源
- ソーラー・マイクロインバータ
- ソレノイドおよびモータ・ドライブ
3 概要
LM5112デバイスはMOSFETゲート・ドライバで、高いピーク・ゲート・ドライブ電流を供給し、小型の6ピンWSONパッケージ(SOT-23と同等の占有面積)または8ピンの露出パッド付きMSOPパッケージに搭載され、高い周波数での動作に必要な消費電力の改善が加えられています。複合出力ドライバのステージではMOSとバイポーラ・トランジスタが並列で動作し、容量性負荷から7Aを超えるピーク電流をシンクします。MOSとバイポーラ・デバイスの固有の特性を組み合わせることで、電圧および温度による駆動電流の変動が低減されます。低電圧誤動作防止保護が実装され、ゲートのターンオン電圧の不足によるMOSFETの損傷を防ぎます。LM5112デバイスには反転と非反転の両方の入力があり、単一のデバイス・タイプで反転と非反転のゲート・ドライブの要件を満たすことができます。
製品情報(1)
| 型番 | パッケージ | 本体サイズ（公称） |
|---|---|---|
| LM5112、 LM5112-Q1 |
WSON (6) | 3.00mm×3.00mm |
| MSOP PowerPAD (8) | 3.00mm×3.00mm |
- 提供されているすべてのパッケージについては、巻末の注文情報を参照してください。
ブロック概略図
