JAJSE31A October   2017  – December 2018 TLV2313-Q1 , TLV313-Q1

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
    1.     EMIRR IN+と周波数との関係
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 Device Comparison Table
  6. 6 Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions: TLV313-Q1
    2.     Pin Functions: TLV2313-Q1
  7. 7 Specifications
    1. 7.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 7.2 ESD Ratings
    3. 7.3 Recommended Operating Conditions
    4. 7.4 Thermal Information: TLV313-Q1
    5. 7.5 Thermal Information: TLV2313-Q1
    6. 7.6 Electrical Characteristics: 5.5 V
    7. 7.7 Electrical Characteristics: 1.8 V
    8. 7.8 Typical Characteristics: Table of Graphs
    9. 7.9 Typical Characteristics
  8. 8 Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 Operating Voltage
      2. 8.3.2 Rail-to-Rail Input
      3. 8.3.3 Rail-to-Rail Output
      4. 8.3.4 Common-Mode Rejection Ratio (CMRR)
      5. 8.3.5 Capacitive Load and Stability
      6. 8.3.6 EMI Susceptibility and Input Filtering
      7. 8.3.7 Input and ESD Protection
    4. 8.4 Device Functional Modes
  9. 9 Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Design Requirements
      2. 9.2.2 Detailed Design Procedure
      3. 9.2.3 Application Curve
    3. 9.3 System Examples
  10. 10Power Supply Recommendations
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
    2. 11.2 Layout Example: Single Channel
    3. 11.3 Layout Example: Dual Channel
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 ドキュメントのサポート
      1. 12.1.1 関連資料
    2. 12.2 関連リンク
    3. 12.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 12.4 コミュニティ・リソース
    5. 12.5 商標
    6. 12.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 12.7 Glossary
  13. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

1 特長

  • 車載アプリケーションに対応
  • 下記内容でAEC-Q100認定済み
    • デバイス温度グレード1: 動作時周囲温度範囲
      –40°C～+125°C
    • デバイスHBM ESD分類レベル3A
    • デバイスCDM ESD分類レベルC6
  • 低コストのシステム用の高精度アンプ
  • 低いIQ: 65µA/ch
  • 広い電源電圧範囲: 1.8V～5.5V
  • 低ノイズ: 1kHz時に26nV/√Hz
  • ゲイン帯域幅: 1MHz
  • レール・ツー・レール入出力
  • 低い入力バイアス電流: 1pA
  • 低いオフセット電圧: 0.75mV
  • ユニティ・ゲインで安定
  • 内部RFI/EMIフィルタ
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