JAJSIT3B
March 2020 – April 2022
UCC27284
PRODUCTION DATA
1
特長
2
アプリケーション
3
概要
4
Revision History B
5
Pin Configuration and Functions
6
Specifications
6.1
Absolute Maximum Ratings
6.2
ESD Ratings
6.3
Recommended Operating Conditions
6.4
Thermal Information
6.5
Electrical Characteristics
6.6
Switching Characteristics
6.7
Timing Diagrams
6.8
Typical Characteristics
7
Detailed Description
7.1
Overview
7.2
Functional Block Diagram
7.3
Feature Description
7.3.1
Enable
7.3.2
Start-Up and UVLO
7.3.3
Input Stage
7.3.4
Level Shifter
7.3.5
Output Stage
7.3.6
Negative Voltage Transients
7.4
Device Functional Modes
8
Application and Implementation
8.1
Application Information
8.2
Typical Application
8.2.1
Design Requirements
8.2.2
Detailed Design Procedure
8.2.2.1
Select Bootstrap and VDD Capacitor
8.2.2.2
Estimate Driver Power Losses
8.2.2.3
Selecting External Gate Resistor
8.2.2.4
Delays and Pulse Width
8.2.2.5
External Bootstrap Diode
8.2.2.6
VDD and Input Filter
8.2.2.7
Transient Protection
8.2.3
Application Curves
9
Power Supply Recommendations
10
Layout
10.1
Layout Guidelines
10.2
Layout Example
11
Device and Documentation Support
11.1
Third-Party Products Disclaimer
11.2
Receiving Notification of Documentation Updates
11.3
サポート・リソース
11.4
Trademarks
11.5
Electrostatic Discharge Caution
11.6
Glossary
12
Mechanical, Packaging, and Orderable Information
パッケージ・オプション
メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
DRC|10
MPDS117L
DRM|8
MPDS160B
サーマルパッド・メカニカル・データ
DRC|10
QFND013N
発注情報
jajsit3b_oa
jajsit3b_pm
1
特長
ハイサイド / ローサイド構成の 2 つの N チャネル MOSFET を駆動
5V (標準値) の低電圧誤動作防止
イネーブル / ディスエーブル機能付き、DRC パッケージ
16ns (標準値) の伝搬遅延
立ち上がり時間 12ns、立ち下がり時間 10ns (1.8nF 負荷時)
1ns (標準値) の遅延マッチング
入力の負電圧:5V
HS の負電圧:14V
±3A のピーク出力電流
絶対最大ブート電圧:120V
ディスエーブル時の低消費電流 (7µA)
ブートストラップ・ダイオードを内蔵
接合部温度 -40℃~140℃で動作を規定
千亿体育app官网登录(中国)官方网站IOS/安卓通用版/手机APP
|
米乐app下载官网(中国)|ios|Android/通用版APP最新版
|
米乐|米乐·M6(中国大陆)官方网站
|
千亿体育登陆地址
|
华体会体育(中国)HTH·官方网站
|
千赢qy国际_全站最新版千赢qy国际V6.2.14安卓/IOS下载
|
18新利网v1.2.5|中国官方网站
|
bob电竞真人(中国官网)安卓/ios苹果/电脑版【1.97.95版下载】
|
千亿体育app官方下载(中国)官方网站IOS/安卓/手机APP下载安装
|