Passive and discrete

静電気放電 (ESD) 保護、過渡電圧サプレッサ (TVS)、ツェナー ダイオードの各製品で構成された TI の製品ラインアップは、複数のパッケージと電圧オプションを取り揃えています。

利点：

• 静電容量が 0.5pF 未満の ESD ダイオードは、最大 30GHz の速度に達するデータ ラインを保護し、通常動作時にシグナル インテグリティを確保します。
• フラット クランプ TVS テクノロジーには、クランプ電圧が高精度かつ平坦で温度に依存しないという特長があり、サージ過渡を吸収する高信頼性ソリューションを実現し、保護対象システムの残留電圧を最小化するのに役立ちます。
• この製品ラインアップに属する車載グレード デバイスは、最大 30kV に対処できる保護を必要とするシステムを想定した厳格な規格に適合します。

TI の薄膜シリコン クロム抵抗ネットワークは、接合テクノロジーを使用して複数の素子の間で高精度のマッチングを実現し、経年劣化や温度ストレスに対する耐久性も確保しています。

利点：

• 薄膜 SiCr は、小型フォーム ファクタで高度な嵌合 (かんごう：かみ合わせ) を実現すると同時に、厚膜ソリューションに比べてフリッカー ノイズを低減できます。
• オンチップの嵌合を通じて、複数の抵抗がウエハ上の同じ場所に配置されます。そのため、薄膜抵抗材料にばらつきが存在する場合でも、ウエハ上にあるすべての抵抗が均等に影響を受けることになります。
• マッチング済み抵抗を通じて、非常に低いレシオメトリック温度係数を確保でき、ドリフト係数の代表値は 0.2ppm/℃ 以下です。

ディスクリート JFET (ジャンクション FET) は、内蔵アンプに比べて消費電力が比較的小さく、ノイズを大幅に低減できるため、誘導性センサに最適です。誘導性センサは、低電圧ノイズと低電流ノイズの両方を達成するアンプを必要とすることがあります。

利点：

• バイポーラ トランジスタと同様、広帯域電圧ノイズは非常に低いレベルですが、そのうえで電流ノイズも非常に小さいという利点があります。
• シングルチャネルのフレキシビリティとデュアルチャネルのマッチング オプション。
• 同一のダイ上にモノリシック形式で製造された 2 個 1 組 (ペア) の JFET は、2 個の個別トランジスタを組み合わせる場合よりマッチングが非常に優れているため、高ゲイン回路での DC オフセットの発生を防止できます。

シリコン ベースのリニア サーミスタは、温度範囲全体にわたって高い感度を維持し、性能と信頼性を強化します。

利点：

• 線形化回路やハードウェア ベースの RC (抵抗とコンデンサ) フィルタが不要になります。
• NTC (負の温度係数) サーミスタより高速かつ高精度のソフトウェア変換を実行すると同時に、メモリ要件を低減できます。
• マルチポイント キャリブレーションなしで、NTC サーミスタより最大 50% 高い精度を達成します。
• 熱質量が小さいため、応答時間が約 300% 高速化し、より温度が高い場合の感度が向上します。
• 製品ラインアップには、TI の各種機能安全対応デバイスが属しており、FIT (故障率) レートや故障モード分布 (FMD) を掲載した資料も入手可能です。
• 自己発熱が小さいため、センサの長期的なドリフトを最小化できます。

バルク弾性波 (BAW) 共振器は、既存の水晶振動子や MEMS (微小電子機械システム) 共振器テクノロジーに比べて多くの改良を実施しました。TI の製品ラインアップに属する各種発振器には、1MHz ～ 400MHz の周波数への対応、業界標準パッケージ、低消費電力、広い電源電圧範囲への対応という特長があります。

利点：

• BAW (バルク弾性波) ベースの水晶発振器は、振動と衝撃への耐性、MTBF (平均故障間隔)、温度安定性、経年劣化、環境要因などを含め、優れた信頼性を実現します。
• 100fs (フェムト秒) 未満の RMS (実効値) ジッタを実現します。
• 水晶発振器を BAW 発振器に置き換えようとする場合でも、設計やプリント基板のレイアウトを変更する必要はありません。