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新製品
耐放射線特性、QMLP、2.3V ～ 3.5V 入力、3A シンク / ソース (吸い込みと供給)、DDR 終端 LDO レギュレータ
技術リソース
DDR VTT Power Solutions: A Competitive Analysis (Rev. A)
Improving DDR Memory Performance in Automotive Applications
Four design tips to obtain 2MHz switching frequency
設計と開発に役立つリソース
TPS51200 シンクとソース (吸い込みと供給) の両方に対応、DDR 終端レギュレータ
TPS51200EVM 評価ボード、言い換えると HPA322A は、TI のコスト最適化済み DDR/DDR2/DDR3/LP DDR3 向け VTT 終端レギュレータである TPS51200 の性能と特性を評価するための設計を採用しています。TPS51200 は、DDR メモリに適した終端電圧と 10mA のバッファ付き基準電圧を供給する設計であり、最小限の外付け部品で、DDR (2.5V/1.25V)、DDR2 (1.8V/0.9V)、DDR3 (1.5V/0.75V)、LP DDR3 (1.2V/0.6V) の各仕様に対応できます。
VTTREF バッファ付きリファレンス搭載、2A ピーク シンク / ソース (吸い込みと供給) DDR 終端レギュレータ
TPS51206EVM-745 評価基板 (EVM) は、TPS51206 を採用しています。TPS51206 は、シンク / ソース (吸い込みと供給) に対応する DDR (ダブル データ レート) 終端レギュレータであり、VTTREF バッファ付きリファレンス出力を搭載しています。低入力電圧、低コスト、少ない外付け部品点数、スペース節減重視のシステムに適した特化型設計です。TPS51206EVM-745 は、DDR メモリに適した終端電圧と 10mA のバッファ付きリファレンス電圧を供給する設計を採用しています。対応するメモリと電圧の仕様は、DDR2 (0.9VTT)、DDR3 (...)
TPS54116-Q1 車載 DDR 電源ソリューションの評価モジュール
この評価基板は、TPS54116-Q1 レギュレータを使用して設計するときに実現することができる小型プリント基板 (PCB) を提示する目的で設計済みです。外部デバイダを使用して、調整可能な出力電圧を実現しています。TPS54116-Q1 DC/DC コンバータは、DDR メモリ終端の目的で、1A のソース (供給) またはシンク (吸い込み) を実現する LDO を内蔵して、最大 4A の出力を供給する設計を採用した同期整流降圧コンバータです。