DRV8220
- N 沟道 H 桥电机驱动器
- MOSFET 导通电阻:HS + LS 1Ω
- 可驱动一个双向有刷直流电机
- 两个单向有刷直流电机
- 一个单线圈或双线圈闭锁继电器
- 推挽式和双稳态螺线管
- 其他电阻、电感或 LED 负载
- 4.5V 至 18V 工作电源电压范围
- 高输出电流能力:
- 全桥:1.76A 峰值
- 半桥:每个输出 1.76A 峰值
- 并联半桥:3.52A 峰值
- 多个接口可实现灵活性并减少 GPIO
-
标准脉宽调制 (PWM) 接口(IN1/IN2)
- 支持 1.8V、3.3V 和 5V 逻辑输入
- 超低功耗休眠模式
- 在 VVM = 12V,TJ = 25°C 时为 960nA
- 定时自动睡眠模式以减少 GPIO
- 保护特性
- 欠压锁定(UVLO)
- 过流保护(OCP)
- 热关断(TSD)
- 器件系列。请参阅器件比较表了解详细信息。
DRV8220 是一款集成电机驱动器,具有四个 N 通道功率 FET、电荷泵稳压器和保护电路。电荷泵集成了所有电容器,以减小 PCB 上电机驱动器的整体解决方案尺寸,并实现 100% 占空比运行。
DRV8220 支持多种控制接口模式,包括:PWM(IN1/IN2)、相位/使能(PH/EN)、独立半桥和并联半桥。每个接口都支持低功耗睡眠模式,通过关断大部分内部电路实现超低静态电流消耗。 DSG 封装支持 nSLEEP 引脚,以使用逻辑信号输入控制睡眠模式。
该器件能够提供高达 1.76A 的输出电流。该器件由 4.5V 至 18V 的电源电压供电运行。
该驱动器提供强大的内部保护功能,包括电源欠压锁定(UVLO)、输出过流(OCP) 和器件过热(TSD)。
DRV8220 是一系列器件的一部分,这些器件采用引脚对引脚可扩展 RDS(on) 和电源电压选项,以支持各种负载和电源轨,且几乎不需要设计变更。请参阅器件比较表,了解有关该系列器件的信息。访问 TI.com 查看我们完整的有刷电机驱动器米6体育平台手机版_好二三四系列。
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技术文档
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* | 数据表 | 具有 PWM、PH/EN 以及半桥控制接口和低功耗睡眠模式的 DRV8220 18V H 桥电机驱动器 数据表 (Rev. B) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2022年 8月 18日 |
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应用手册 | 所选封装材料的热学和电学性质 | 2008年 10月 16日 |
设计和开发
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评估板
DRV8220EVM — DRV8220 具有低功耗睡眠模式的低电压 H 桥电机驱动器评估模块
DRV8220 评估模块 (EVM) 可轻松评估 DRV8220 电机驱动器。
DRV8220 集成了 N 沟道 H 桥、电荷泵稳压器以及保护电路。该器件支持 PWM (IN1/IN2)、相位/使能 (PH/EN)、独立半桥和并行半桥控制模式。
EVM 配备了电位器,可用于设置输入控制引脚(PH/IN1、EN/IN2)的占空比。
用户指南: PDF
参考设计
TIDA-010239 — 交流级别 2 充电器平台参考设计
电动汽车服务设备 (EVSE) 改善了电力从电网安全输送至电动汽车的过程。EVSE 控制系统包括辅助功率级、非板载交流/直流高功率级(仅用于直流充电站)、电能计量单元、交流/直流剩余电流检测器、隔离监控单元、继电器和接触器,具有驱动功能、单线双向通信以及服务和用户界面。本参考设计着重介绍了具有超低待机功耗的隔离式交流/直流辅助功率级、转换器和线性稳压器、符合 IEC61851 标准且基于比较器的控制引导界面、高效继电器和接触器驱动器、插头锁定电机驱动器、用于为 RCD 应用检测交流和直流电流的磁通门电路,以及跨继电器和接触器的隔离式线路电压检测。
参考设计
TIDA-010237 — 交流和直流电流故障检测参考设计
该参考设计可检测 mA 级交流和直流接地故障电流。使用 DRV8220 H 桥实现自振电路,该 H 桥会驱动磁芯进入和退出饱和状态。此外,还采用了有源滤波器电路来识别故障电流信号和电平。
封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
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SOT-5X3 (DRL) | 6 | Ultra Librarian |
WSON (DSG) | 8 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息:
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息:
- 制造厂地点
- 封装厂地点
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