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ISO1640

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具有双向时钟且 EMC 性能优异的双向热插拔 I2C 隔离器

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米6体育平台手机版_好二三四详情

Rating Catalog Isolation rating Basic, Reinforced Number of channels 2 Serial data Bidirectional Serial clock Bidirectional Data rate (max) (Mbps) 1.7 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 450, 1500 Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 6500, 10000 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242, 7071 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000, 5000 CMTI (min) (kV/µs) 50 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 2.25 Operating temperature range (°C) -40 to 125
Rating Catalog Isolation rating Basic, Reinforced Number of channels 2 Serial data Bidirectional Serial clock Bidirectional Data rate (max) (Mbps) 1.7 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 450, 1500 Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 6500, 10000 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242, 7071 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000, 5000 CMTI (min) (kV/µs) 50 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 2.25 Operating temperature range (°C) -40 to 125
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 可靠的隔离式双向 I2C 兼容型通信
    • ISO1640：隔离式双向 SDA 和 SCL 通信
    • ISO1641：双向 SDA 和单向 SCL 通信
    • 热插拔 SDA 和 SCL
  • 双向数据传输运行频率高达 1.7MHz
  • 具有增强 EMC 且稳健可靠的隔离栅：
    • 在 450VRMS 工作电压下 在 (D-8) 和 1500VRMS 工作电压 (DW-16) 下预计使用寿命会超过 100 年
    • 隔离等级达到 5000VRMS
    • 浪涌能力高达 10kV（增强型）
    • CMTI 典型值为 ±100kV/µs
    • 在整个隔离栅提供 ±8kV IEC-ESD 61000-4-2 接触放电保护
    • 在 SCL2 和 SDA2（2 侧）上的同一侧具有 ±8kV IEC-ESD 未上电接触放电
  • 电源电压范围：3V 至 5.5V（1 侧）；2.25V 至 5.5V（2 侧）
  • 开漏输出为 3.5mA（1 侧），而灌电流为 50mA（2 侧）
  • 最大容性负载：80pF（1 侧）和 400pF（2 侧）
  • 16-SOIC (DW-16) 和 8-SOIC (D-8) 封装选项
  • -40°C 至 +125°C 工作温度
  • 安全相关认证（计划）：
    • UL 1577 组件认证计划
    • DIN VDE V 0884-11
    • IEC 62368-1、IEC 61010-1、IEC 60601-1 和 GB4943.1-2011 认证
  • 可靠的隔离式双向 I2C 兼容型通信
    • ISO1640：隔离式双向 SDA 和 SCL 通信
    • ISO1641：双向 SDA 和单向 SCL 通信
    • 热插拔 SDA 和 SCL
  • 双向数据传输运行频率高达 1.7MHz
  • 具有增强 EMC 且稳健可靠的隔离栅：
    • 在 450VRMS 工作电压下 在 (D-8) 和 1500VRMS 工作电压 (DW-16) 下预计使用寿命会超过 100 年
    • 隔离等级达到 5000VRMS
    • 浪涌能力高达 10kV（增强型）
    • CMTI 典型值为 ±100kV/µs
    • 在整个隔离栅提供 ±8kV IEC-ESD 61000-4-2 接触放电保护
    • 在 SCL2 和 SDA2（2 侧）上的同一侧具有 ±8kV IEC-ESD 未上电接触放电
  • 电源电压范围：3V 至 5.5V（1 侧）；2.25V 至 5.5V（2 侧）
  • 开漏输出为 3.5mA（1 侧），而灌电流为 50mA（2 侧）
  • 最大容性负载：80pF（1 侧）和 400pF（2 侧）
  • 16-SOIC (DW-16) 和 8-SOIC (D-8) 封装选项
  • -40°C 至 +125°C 工作温度
  • 安全相关认证（计划）：
    • UL 1577 组件认证计划
    • DIN VDE V 0884-11
    • IEC 62368-1、IEC 61010-1、IEC 60601-1 和 GB4943.1-2011 认证

、ISO1640 和 ISO1641 (ISO164x) 器件 均为低功耗双向热插拔隔离器， 低功耗双向热插拔隔离器， 兼容 I2C 接口。ISO164x 符合 UL 1577 标准， 采用 16-DW 封装时支持 5000VRMS 隔离等级，而采用 8-D 封装时支持 3000 VRMS 隔离等级。该低辐射器件的每条隔离通道都具有通过双电容二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅实现隔离的逻辑输入和开漏输出。该系列包含的 基础和增强型隔离等级器件已通过 VDE、UL、CSA、TUV 和 CQC 认证。The ISO1640 具有两条隔离式双向通道，分别应用于时钟和数据线， 而 ISO1641 具有一条双向数据通道和一条单向时钟通道。 ISO164x 系列集成了支持双向通道所需的逻辑，与基于光耦合器的解决方案相比，设计更加简化，尺寸更小。

、ISO1640 和 ISO1641 (ISO164x) 器件 均为低功耗双向热插拔隔离器， 低功耗双向热插拔隔离器， 兼容 I2C 接口。ISO164x 符合 UL 1577 标准， 采用 16-DW 封装时支持 5000VRMS 隔离等级，而采用 8-D 封装时支持 3000 VRMS 隔离等级。该低辐射器件的每条隔离通道都具有通过双电容二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅实现隔离的逻辑输入和开漏输出。该系列包含的 基础和增强型隔离等级器件已通过 VDE、UL、CSA、TUV 和 CQC 认证。The ISO1640 具有两条隔离式双向通道，分别应用于时钟和数据线， 而 ISO1641 具有一条双向数据通道和一条单向时钟通道。 ISO164x 系列集成了支持双向通道所需的逻辑，与基于光耦合器的解决方案相比，设计更加简化，尺寸更小。
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设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

ISO1640EVM — ISO1640 和 ISO1641 稳健 EMC 双向 I2C 数字隔离器评估模块

ISO1640DEVM 是用于帮助设计人员评估 ISO1640 和 ISO1641 器件性能的评估模块，支持快速开发和分析使用 ISO1640 和 ISO1641 隔离式 I2C 器件（采用 8 针 D 封装和 16 针 DW 封装）的数据传输系统。
用户指南: PDF | HTML
英语版 (Rev.A): PDF | HTML
TI.com 上无现货
仿真模型

ISO164x IBIS Model (Rev. A)

SLLM460A.ZIP (28 KB) - IBIS Model
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参考设计

PMP23366 — 具有平稳过渡和遥测功能的双输入冗余 PoE 6 级 PD 参考设计

此设计采用以太网供电 (PoE) 6 级供电设备 (PD) 并具有双冗余 PoE 输入，可以在这两个输入与辅助输入之间平稳过渡。此设计使用两个 TPS2372-3 PD 控制器来进行高达 51W 的高功率 PoE 控制。通过 TPS23734 IC 的 PWM 部分，可实现 5V/9A 有源钳位正向转换器。INA237A 通过 I2C 提供输入电压/电流/功率/温度测量。
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参考设计

PMP23365 — 具有外部热插拔和遥测功能的 24V、3A、8 级 PoE PD 参考设计

此参考设计实现了具有 24V、3A 输出的以太网供电 (PoE) 供电设备 (PD) 有源钳位正激式转换器。TPS23730 PD 具有集成的脉宽调制器 (PWM) 控制器，不仅为 PoE PD 提供必要的功能，还为有源钳位正激式转换器提供 PWM 控制。此设计同时使用次级侧调节 (SSR) 和光耦合器反馈，并添加了外部热插拔来支持 7 级和 8 级 PD 应用。INA237 在初级侧用于监控直流/直流输入电压和电流，功率信息通过 I2C 隔离器或基于光耦合器的电路发送到次级侧。
测试报告: PDF
参考设计

TIDA-010247 — 具有堆叠式电池监测器的高侧 N-MOSFET 控制（高达 32 节串联）电池包参考设计

此参考设计是一款采用堆叠式 BQ769x2 电池监测器系列的高侧 N 沟道 MOSFET 控制（多达 32 节串联）电池包。该设计可监测每个电芯的电压、电池包电流、电芯温度和 MOSFET 温度，并保护电池包以确保安全使用。高侧 N 沟道 MOSFET 架构和优化的驱动电路可实现轻松的开关控制。此参考设计可实现低待机和运输模式功耗，并减小两组之间的电流差。此参考设计适用于多电芯数高电压电池包应用。
设计指南: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
SOIC (DW) 16 Ultra Librarian
应遵守 TI 评估类商品的标准条款与条件。

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
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包含信息：
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