ISOM8112-Q1
- 业界通用光晶体管光耦合器的封装兼容、引脚对引脚升级版
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:
- 器件温度等级 1:–40°C 至 125°C 环境工作温度范围
- 单通道 LED 仿真器输入
- IF = 5mA、VCE = 5V 时的电流传输比 (CTR):
- ISOM8110-Q1、ISOM8115-Q1:100% 至 155%
- ISOM8111-Q1、ISOM8116-Q1:150% 至 230%
- ISOM8112-Q1、ISOM8117-Q1:255% 至 380%
- ISOM8113-Q1、ISOM8118-Q1:375% 至 560%
- 高集电极-发射极电压:VCE(最大值)= 80V
- 稳健 SiO2 隔离栅
- 隔离等级:3750VRMS
- 工作电压:500VRMS,707VPK
- 浪涌能力:高达 10kV
- 响应时间:VCE = 10V、IC = 2mA、RL = 100Ω 时为 3µs(典型值)
- 功能安全型
- 可提供用于功能安全系统设计的文档:ISOM811x-Q1
- 计划的安全相关认证:
- UL 1577 认证,3750VRMS 隔离
- 符合由 VDE 按 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标准进行的认证
- IEC 62368-1、IEC 61010-1 认证
- CQC GB 4943.1 认证
ISOM811x-Q1 器件是具有 LED 仿真器输入和晶体管输出的单通道光耦仿真器,也是许多传统光耦合器的封装兼容、引脚对引脚升级版器件,无需重新设计 PCB 即可增强现有系统。
与光耦合器相比,ISOM811x-Q1 光耦仿真器具有显著的可靠性和性能优势,包括高带宽、低关断延迟、低功耗、更宽的温度范围、平坦的 CTR 和严格的过程控制,从而实现较小的器件间偏移。由于没有要补偿的老化效应或温度变化,因此仿真 LED 输入级的功耗比光耦合器低。
ISOM811x-Q1 器件采用引脚间距为 2.54mm 和 1.27mm 的小型 SOIC-4 封装,支持 3.75kVRMS 隔离额定值以及直流 (ISOM811[0-3]-Q1) 和双向直流 (ISOM811[5-8]-Q1) 输入选项。ISOM811x-Q1 器件具有高性能和高可靠性,因此可用于电源反馈设计、电机驱动、工业控制器中的 I/O 模块、工厂自动化应用等。
技术文档
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评估板
ISOM8110DFGEVM — ISOM8110 具有模拟晶体管输出的单通道光耦仿真器评估模块
ISOM8110DFGEVM 评估模块用于评估 ISOM8110 采用 4 引脚 DFG SOIC 封装、具有模拟晶体管输出的单通道光耦仿真器。该 EVM 支持您评估器件的性能,从而快速开发和分析隔离系统。
参考设计
TIDA-010271 — 面向储能系统的可堆叠电池管理单元参考设计
该参考设计是一种全面的电芯温度检测和高电芯电压精度锂离子 (Li-ion)、磷酸铁锂 (LiFePO4) 电池包(32 芯)。该设计可监控每个电芯的电压和电芯温度,并保护电池包以确保安全使用。该设计使用板载和非板载菊花链通信接口,以实现具有成本效益的堆叠式总线连接。得益于这些特性,该参考设计适用于高容量电池包应用。
设计指南: PDF
封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
---|---|---|
SOIC (DFG) | 4 | Ultra Librarian |
SOIC (DFH) | 4 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息:
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息:
- 制造厂地点
- 封装厂地点
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