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Rating Automotive Product type Analog transistor output Input type DC Output type Analog transistor Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3750 Number of channels 1 Current transfer ratio (CTR) (min) (%) 255 Current transfer ratio (CTR) (max) (%) 380 Forward voltage (typ) (V) 1.2 Forward current (IF) (max) (mA) 20 Forward current (IF) (min) (µA) 700 Data rate (max) (Mbps) 0.1 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Turnon time (enable) (µs) 0.48 Turnoff time (disable) (µs) 3.1 Creepage (min) (mm) 5 Clearance (min) (mm) 5
Rating Automotive Product type Analog transistor output Input type DC Output type Analog transistor Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3750 Number of channels 1 Current transfer ratio (CTR) (min) (%) 255 Current transfer ratio (CTR) (max) (%) 380 Forward voltage (typ) (V) 1.2 Forward current (IF) (max) (mA) 20 Forward current (IF) (min) (µA) 700 Data rate (max) (Mbps) 0.1 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Turnon time (enable) (µs) 0.48 Turnoff time (disable) (µs) 3.1 Creepage (min) (mm) 5 Clearance (min) (mm) 5
SOIC (DFG) 4 24.57 mm² 3.51 x 7 SOIC (DFH) 4 18.9 mm² 2.7 x 7
  • 业界通用光晶体管光耦合器的封装兼容、引脚对引脚升级版
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:
    • 器件温度等级 1:–40°C 至 125°C 环境工作温度范围
  • 单通道 LED 仿真器输入
  • IF = 5mA、VCE = 5V 时的电流传输比 (CTR):
    • ISOM8110-Q1、ISOM8115-Q1:100% 至 155%
    • ISOM8111-Q1、ISOM8116-Q1:150% 至 230%
    • ISOM8112-Q1、ISOM8117-Q1:255% 至 380%
    • ISOM8113-Q1、ISOM8118-Q1:375% 至 560%
  • 高集电极-发射极电压:VCE(最大值)= 80V
  • 稳健 SiO2 隔离栅
    • 隔离等级:3750VRMS
    • 工作电压:500VRMS,707VPK
    • 浪涌能力:高达 10kV
  • 响应时间:VCE = 10V、IC = 2mA、RL = 100Ω 时为 3µs(典型值)
  • 功能安全型
    • 可提供用于功能安全系统设计的文档:ISOM811x-Q1
  • 计划的安全相关认证:
    • UL 1577 认证,3750VRMS 隔离
    • 符合由 VDE 按 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标准进行的认证
    • IEC 62368-1、IEC 61010-1 认证
    • CQC GB 4943.1 认证
  • 业界通用光晶体管光耦合器的封装兼容、引脚对引脚升级版
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:
    • 器件温度等级 1:–40°C 至 125°C 环境工作温度范围
  • 单通道 LED 仿真器输入
  • IF = 5mA、VCE = 5V 时的电流传输比 (CTR):
    • ISOM8110-Q1、ISOM8115-Q1:100% 至 155%
    • ISOM8111-Q1、ISOM8116-Q1:150% 至 230%
    • ISOM8112-Q1、ISOM8117-Q1:255% 至 380%
    • ISOM8113-Q1、ISOM8118-Q1:375% 至 560%
  • 高集电极-发射极电压:VCE(最大值)= 80V
  • 稳健 SiO2 隔离栅
    • 隔离等级:3750VRMS
    • 工作电压:500VRMS,707VPK
    • 浪涌能力:高达 10kV
  • 响应时间:VCE = 10V、IC = 2mA、RL = 100Ω 时为 3µs(典型值)
  • 功能安全型
    • 可提供用于功能安全系统设计的文档:ISOM811x-Q1
  • 计划的安全相关认证:
    • UL 1577 认证,3750VRMS 隔离
    • 符合由 VDE 按 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标准进行的认证
    • IEC 62368-1、IEC 61010-1 认证
    • CQC GB 4943.1 认证

ISOM811x-Q1 器件是具有 LED 仿真器输入和晶体管输出的单通道光耦仿真器,也是许多传统光耦合器的封装兼容、引脚对引脚升级版器件,无需重新设计 PCB 即可增强现有系统。

与光耦合器相比,ISOM811x-Q1 光耦仿真器具有显著的可靠性和性能优势,包括高带宽、低关断延迟、低功耗、更宽的温度范围、平坦的 CTR 和严格的过程控制,从而实现较小的器件间偏移。由于没有要补偿的老化效应或温度变化,因此仿真 LED 输入级的功耗比光耦合器低。

ISOM811x-Q1 器件采用引脚间距为 2.54mm 和 1.27mm 的小型 SOIC-4 封装,支持 3.75kVRMS 隔离额定值以及直流 (ISOM811[0-3]-Q1) 和双向直流 (ISOM811[5-8]-Q1) 输入选项。ISOM811x-Q1 器件具有高性能和高可靠性,因此可用于电源反馈设计、电机驱动、工业控制器中的 I/O 模块、工厂自动化应用等。

ISOM811x-Q1 器件是具有 LED 仿真器输入和晶体管输出的单通道光耦仿真器,也是许多传统光耦合器的封装兼容、引脚对引脚升级版器件,无需重新设计 PCB 即可增强现有系统。

与光耦合器相比,ISOM811x-Q1 光耦仿真器具有显著的可靠性和性能优势,包括高带宽、低关断延迟、低功耗、更宽的温度范围、平坦的 CTR 和严格的过程控制,从而实现较小的器件间偏移。由于没有要补偿的老化效应或温度变化,因此仿真 LED 输入级的功耗比光耦合器低。

ISOM811x-Q1 器件采用引脚间距为 2.54mm 和 1.27mm 的小型 SOIC-4 封装,支持 3.75kVRMS 隔离额定值以及直流 (ISOM811[0-3]-Q1) 和双向直流 (ISOM811[5-8]-Q1) 输入选项。ISOM811x-Q1 器件具有高性能和高可靠性,因此可用于电源反馈设计、电机驱动、工业控制器中的 I/O 模块、工厂自动化应用等。

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技术文档

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应用手册 所选封装材料的热学和电学性质 2008年 10月 16日

设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

ISOM-EVM — 通用光耦仿真器评估模块

ISOM-EVM 支持评估采用 5 引脚 DFF、4 引脚 DFG、4 引脚 DFH 和 4 引脚 DFS SOIC 封装的 TI 光耦仿真器。通过更改 EVM 配置和元件值,可以重新配置该评估模块 (EVM),以对不同的光耦仿真器、不同的输入信号或其他应用进行评估。该 EVM 没有在电路板上安装光耦仿真器 IC,允许用户安装自己选择的兼容 IC。用户可以将电路板分为三个单独的单元来单独测试印刷电路板。
用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
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评估板

ISOM8110DFGEVM — ISOM8110 具有模拟晶体管输出的单通道光耦仿真器评估模块

ISOM8110DFGEVM 评估模块用于评估 ISOM8110 采用 4 引脚 DFG SOIC 封装、具有模拟晶体管输出的单通道光耦仿真器。该 EVM 支持您评估器件的性能,从而快速开发和分析隔离系统。

用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
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仿真模型

ISOM8110 PSpice Reference Design Model

SLLM501.ZIP (1 KB) - PSpice Model
参考设计

PMP23470 — 适用于 48V 系统的 750kHz 反激式转换器参考设计

此参考设计是一款隔离式高频 (750kHz) 反激式转换器,具有 48V 输入和 24V/0.7A 输出。LM51561 负责控制反激式转换器,而 ISOM8110 光耦仿真器则用于反馈隔离。
测试报告: PDF
参考设计

TIDA-010271 — 面向储能系统的可堆叠电池管理单元参考设计

该参考设计是一种全面的电芯温度检测和高电芯电压精度锂离子 (Li-ion)、磷酸铁锂 (LiFePO4) 电池包(32 芯)。该设计可监控每个电芯的电压和电芯温度,并保护电池包以确保安全使用。该设计使用板载和非板载菊花链通信接口,以实现具有成本效益的堆叠式总线连接。得益于这些特性,该参考设计适用于高容量电池包应用。
设计指南: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (DFG) 4 Ultra Librarian
SOIC (DFH) 4 Ultra Librarian

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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支持和培训

视频