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ISOM8118-Q1

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具有 375% 至 560% CTR 的汽车级、交流输入、晶体管输出、单通道光耦仿真器

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米6体育平台手机版_好二三四详情

Rating Automotive Product type Analog transistor output Input type AC Output type Analog transistor Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3750 Number of channels 1 Current transfer ratio (CTR) (min) (%) 375 Current transfer ratio (CTR) (max) (%) 560 Forward voltage (typ) (V) 1.2 Forward current (IF) (max) (mA) 20 Forward current (IF) (min) (µA) 700 Data rate (max) (Mbps) 0.1 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Turnon time (enable) (µs) 0.44 Turnoff time (disable) (µs) 2.7 Creepage (min) (mm) 5 Clearance (min) (mm) 5
Rating Automotive Product type Analog transistor output Input type AC Output type Analog transistor Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3750 Number of channels 1 Current transfer ratio (CTR) (min) (%) 375 Current transfer ratio (CTR) (max) (%) 560 Forward voltage (typ) (V) 1.2 Forward current (IF) (max) (mA) 20 Forward current (IF) (min) (µA) 700 Data rate (max) (Mbps) 0.1 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Turnon time (enable) (µs) 0.44 Turnoff time (disable) (µs) 2.7 Creepage (min) (mm) 5 Clearance (min) (mm) 5
SOIC (DFG) 4 24.57 mm² 3.51 x 7 SOIC (DFH) 4 18.9 mm² 2.7 x 7
  • 业界通用光晶体管光耦合器的封装兼容、引脚对引脚升级版
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
    • 器件温度等级 1：–40°C 至 125°C 环境工作温度范围
  • 单通道 LED 仿真器输入
  • IF = 5mA、VCE = 5V 时的电流传输比 (CTR)：
    • ISOM8110-Q1、ISOM8115-Q1：100% 至 155%
    • ISOM8111-Q1、ISOM8116-Q1：150% 至 230%
    • ISOM8112-Q1、ISOM8117-Q1：255% 至 380%
    • ISOM8113-Q1、ISOM8118-Q1：375% 至 560%
  • 高集电极-发射极电压：VCE（最大值）= 80V
  • 稳健 SiO2 隔离栅
    • 隔离等级：3750VRMS
    • 工作电压：500VRMS，707VPK
    • 浪涌能力：高达 10kV
  • 响应时间：VCE = 10V、IC = 2mA、RL = 100Ω 时为 3µs（典型值）
  • 功能安全型
    • 可提供用于功能安全系统设计的文档：ISOM811x-Q1
  • 计划的安全相关认证：
    • UL 1577 认证，3750VRMS 隔离
    • 符合由 VDE 按 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标准进行的认证
    • IEC 62368-1、IEC 61010-1 认证
    • CQC GB 4943.1 认证
  • 业界通用光晶体管光耦合器的封装兼容、引脚对引脚升级版
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
    • 器件温度等级 1：–40°C 至 125°C 环境工作温度范围
  • 单通道 LED 仿真器输入
  • IF = 5mA、VCE = 5V 时的电流传输比 (CTR)：
    • ISOM8110-Q1、ISOM8115-Q1：100% 至 155%
    • ISOM8111-Q1、ISOM8116-Q1：150% 至 230%
    • ISOM8112-Q1、ISOM8117-Q1：255% 至 380%
    • ISOM8113-Q1、ISOM8118-Q1：375% 至 560%
  • 高集电极-发射极电压：VCE（最大值）= 80V
  • 稳健 SiO2 隔离栅
    • 隔离等级：3750VRMS
    • 工作电压：500VRMS，707VPK
    • 浪涌能力：高达 10kV
  • 响应时间：VCE = 10V、IC = 2mA、RL = 100Ω 时为 3µs（典型值）
  • 功能安全型
    • 可提供用于功能安全系统设计的文档：ISOM811x-Q1
  • 计划的安全相关认证：
    • UL 1577 认证，3750VRMS 隔离
    • 符合由 VDE 按 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标准进行的认证
    • IEC 62368-1、IEC 61010-1 认证
    • CQC GB 4943.1 认证

ISOM811x-Q1 器件是具有 LED 仿真器输入和晶体管输出的单通道光耦仿真器，也是许多传统光耦合器的封装兼容、引脚对引脚升级版器件，无需重新设计 PCB 即可增强现有系统。

与光耦合器相比，ISOM811x-Q1 光耦仿真器具有显著的可靠性和性能优势，包括高带宽、低关断延迟、低功耗、更宽的温度范围、平坦的 CTR 和严格的过程控制，从而实现较小的器件间偏移。由于没有要补偿的老化效应或温度变化，因此仿真 LED 输入级的功耗比光耦合器低。

ISOM811x-Q1 器件采用引脚间距为 2.54mm 和 1.27mm 的小型 SOIC-4 封装，支持 3.75kVRMS 隔离额定值以及直流 (ISOM811[0-3]-Q1) 和双向直流 (ISOM811[5-8]-Q1) 输入选项。ISOM811x-Q1 器件具有高性能和高可靠性，因此可用于电源反馈设计、电机驱动、工业控制器中的 I/O 模块、工厂自动化应用等。

ISOM811x-Q1 器件是具有 LED 仿真器输入和晶体管输出的单通道光耦仿真器，也是许多传统光耦合器的封装兼容、引脚对引脚升级版器件，无需重新设计 PCB 即可增强现有系统。

与光耦合器相比，ISOM811x-Q1 光耦仿真器具有显著的可靠性和性能优势，包括高带宽、低关断延迟、低功耗、更宽的温度范围、平坦的 CTR 和严格的过程控制，从而实现较小的器件间偏移。由于没有要补偿的老化效应或温度变化，因此仿真 LED 输入级的功耗比光耦合器低。

ISOM811x-Q1 器件采用引脚间距为 2.54mm 和 1.27mm 的小型 SOIC-4 封装，支持 3.75kVRMS 隔离额定值以及直流 (ISOM811[0-3]-Q1) 和双向直流 (ISOM811[5-8]-Q1) 输入选项。ISOM811x-Q1 器件具有高性能和高可靠性，因此可用于电源反馈设计、电机驱动、工业控制器中的 I/O 模块、工厂自动化应用等。
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设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

ISOM8110DFGEVM — ISOM8110 具有模拟晶体管输出的单通道光耦仿真器评估模块

ISOM8110DFGEVM 评估模块用于评估 ISOM8110 采用 4 引脚 DFG SOIC 封装、具有模拟晶体管输出的单通道光耦仿真器。该 EVM 支持您评估器件的性能，从而快速开发和分析隔离系统。

用户指南: PDF | HTML
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仿真模型

ISOM8110 PSpice Reference Design Model

SLLM501.ZIP (1 KB) - PSpice Model
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参考设计

PMP23470 — 适用于 48V 系统的 750kHz 反激式转换器参考设计

此参考设计是一款隔离式高频 (750kHz) 反激式转换器，具有 48V 输入和 24V/0.7A 输出。LM51561 负责控制反激式转换器，而 ISOM8110 光耦仿真器则用于反馈隔离。
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参考设计

TIDA-010271 — Stackable battery management unit reference design for energy storage systems

This is a full cell-temperature sensing and high cell voltage accuracy Lithium-ion (Li-ion), lithium iron phosphate (LiFePO4) battery pack (32s) reference design. The design monitors each cell voltage, cell temperature and protects the battery pack to secure safe use. This design uses onboard and (...)
设计指南: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (DFG) 4 Ultra Librarian
SOIC (DFH) 4 Ultra Librarian
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  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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支持和培训

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