JFE2140
- 超低噪声：
- 电压噪声：
- 1 kHz 时为 0.9 nV/√ Hz，I DS = 5 mA
- 1 kHz 时为 1.1 nV/√ Hz，I DS = 2mA
- 电流噪声：1 kHz 时为 1.6 fA/√ Hz
- 电压噪声：
- 低 V GS 失配：4mV（最大值）
- 低栅极电流：10 pA（最大值）
-
低输入电容：V DS = 5V 时为 13 pF
-
高栅漏电压和栅源击穿电压：-40V
-
高跨导：30 mS
-
封装：SOIC，2mm x 2mm WSON
JFE2140 是使用米6体育平台手机版_好二三四 (TI) 现代高性能模拟双极工艺构建的 Burr-Brown™ 音频、匹配对分立式 JFET。JFE2140 具有以前较旧的分立式 JFET 技术所不具备的性能。JFE2140 在所有电流范围内均提供出色的噪声性能，静态电流可由用户设置，范围为 50 µA 至 20 mA。当偏置电流为 5 mA 时，该器件会产生 0.9 nV/√ Hz 的输入参考噪声，从而以极高的输入阻抗 (>1TΩ) 提供超低噪声性能。此外，按照 ±4mV 测试 JFET 之间的匹配，可为差分对配置提供低失调电压和高 CMRR 性能。JFE2140 还具有连接到独立钳位节点的集成二极管，无需添加高泄漏、非线性外部二极管即可提供保护。
JFE2140 可承受 40V 的高漏源电压，以及低至 –40V 的栅源电压和栅漏电压。该器件额定工作温度范围为 –40°C 至 +125°C。
技术文档
| 类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | JFE2140 超低噪声、匹配低栅电流双离散音频 N 通道 JFET 数据表 (Rev. B) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2023年 9月 14日 |
| 应用简报 | Ultra-Low-Noise JFET Preamplifier Design for High Impedance Sensors. | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2024年 5月 17日 | |
| 应用手册 | JFE2140 超低噪声前置放大器 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2023年 3月 13日 | |
| 用户指南 | JFE2140 Evaluation Module Users Guide | PDF | HTML | 2022年 9月 20日 | |||
| 证书 | JFE2140EVM EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) | 2022年 9月 7日 |
设计和开发
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DIP-ADAPTER-EVM — DIP 适配器评估模块
借助 DIP-Adapter-EVM 加快运算放大器的原型设计和测试，该 EVM 有助于快速轻松地连接小型表面贴装 IC 并且价格低廉。您可以使用随附的 Samtec 端子板连接任何受支持的运算放大器，或者将这些端子板直接连接至现有电路。
DIP-Adapter-EVM 套件支持六种常用的业界通用封装，包括：
- D 和 U (SOIC-8)
- PW (TSSOP-8)
- DGK（MSOP-8、VSSOP-8）
- DBV（SOT23-6、SOT23-5 和 SOT23-3）
- DCK（SC70-6 和 SC70-5）
- DRL (SOT563-6)
JFE2140EVM — JFE2140 双通道、超低噪声、低栅极电流、音频、N 沟道 JFET 评估模块
JFE2140 评估模块 (EVM) 可以对 JFE2140 的基本功能进行评估。该 EVM 采用闭环前置放大器配置，由 ±5V 双电源供电，提供 60dB 增益。用户可以对各种电路配置进行修改。
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如需获取可用 TINA-TI 模型的完整列表，请参阅：SpiceRack - 完整列表
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| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
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| SOIC (D) | 8 | Ultra Librarian |
| WSON (DSG) | 8 | Ultra Librarian |
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