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Configuration 1:1 SPST Number of channels 4 Power supply voltage - single (V) 2.5, 3.3 Protocols Analog, I2C, I2S, JTAG, RGMII, SPI, TDM, UART Ron (typ) (Ω) 4 CON (typ) (pF) 8 ON-state leakage current (max) (µA) 1 Supply current (typ) (µA) 2000 Bandwidth (MHz) 500 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Features Powered-off protection, Supports input voltage beyond supply Input/output continuous current (max) (mA) 64 Rating Catalog Drain supply voltage (max) (V) 3.6 Supply voltage (max) (V) 3.6
Configuration 1:1 SPST Number of channels 4 Power supply voltage - single (V) 2.5, 3.3 Protocols Analog, I2C, I2S, JTAG, RGMII, SPI, TDM, UART Ron (typ) (Ω) 4 CON (typ) (pF) 8 ON-state leakage current (max) (µA) 1 Supply current (typ) (µA) 2000 Bandwidth (MHz) 500 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Features Powered-off protection, Supports input voltage beyond supply Input/output continuous current (max) (mA) 64 Rating Catalog Drain supply voltage (max) (V) 3.6 Supply voltage (max) (V) 3.6
SSOP (DBQ) 16 29.4 mm² 4.9 x 6 TSSOP (PW) 14 32 mm² 5 x 6.4 TVSOP (DGV) 14 23.04 mm² 3.6 x 6.4 VQFN (RGY) 14 12.25 mm² 3.5 x 3.5
  • High-Bandwidth Data Path (up to 500 MHz(1))
  • 5-V Tolerant I/Os With Device Powered Up
    or Powered Down
  • Low and Flat ON-State Resistance (ron)
    Characteristics Over Operating Range
    (ron = 3 Ω Typ)
  • Rail-to-Rail Switching on Data I/O Ports
    • 0-V to 5-V Switching With 3.3-V VCC
    • 0-V to 3.3-V Switching With 2.5-V VCC
  • Bidirectional Data Flow With Near-Zero
    Propagation Delay
  • Low Input and Output Capacitance Minimizes
    Loading and Signal Distortion
    (Cio(OFF) = 4 pF Typ)
  • Fast Switching Frequency (fOE = 20 MHz Max)
  • Data and Control Inputs Provide Undershoot
    Clamp Diodes
  • Low Power Consumption
    (ICC = 0.3 mA Typ)
  • VCC Operating Range From 2.3 V to 3.6 V
  • Data I/Os Support 0-V to 5-V Signaling Levels
    (0.8 V, 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V, 5 V)
  • Control Inputs Can Be Driven by TTL,
    5-V, or 3.3-V CMOS Outputs
  • Ioff Supports Partial-Power-Down Mode Operation
  • Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per
    JESD 78, Class II
  • ESD Performance Tested Per JESD 22
    • 2000-V Human-Body Model
      (A114-B, Class II)
    • 1000-V Charged-Device Model (C101)
  • Supports Both Digital and Analog Applications:
    USB Interface, Differential Signal Interface, Bus
    Isolation, Low-Distortion Signal Gating
  • High-Bandwidth Data Path (up to 500 MHz(1))
  • 5-V Tolerant I/Os With Device Powered Up
    or Powered Down
  • Low and Flat ON-State Resistance (ron)
    Characteristics Over Operating Range
    (ron = 3 Ω Typ)
  • Rail-to-Rail Switching on Data I/O Ports
    • 0-V to 5-V Switching With 3.3-V VCC
    • 0-V to 3.3-V Switching With 2.5-V VCC
  • Bidirectional Data Flow With Near-Zero
    Propagation Delay
  • Low Input and Output Capacitance Minimizes
    Loading and Signal Distortion
    (Cio(OFF) = 4 pF Typ)
  • Fast Switching Frequency (fOE = 20 MHz Max)
  • Data and Control Inputs Provide Undershoot
    Clamp Diodes
  • Low Power Consumption
    (ICC = 0.3 mA Typ)
  • VCC Operating Range From 2.3 V to 3.6 V
  • Data I/Os Support 0-V to 5-V Signaling Levels
    (0.8 V, 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V, 5 V)
  • Control Inputs Can Be Driven by TTL,
    5-V, or 3.3-V CMOS Outputs
  • Ioff Supports Partial-Power-Down Mode Operation
  • Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per
    JESD 78, Class II
  • ESD Performance Tested Per JESD 22
    • 2000-V Human-Body Model
      (A114-B, Class II)
    • 1000-V Charged-Device Model (C101)
  • Supports Both Digital and Analog Applications:
    USB Interface, Differential Signal Interface, Bus
    Isolation, Low-Distortion Signal Gating

The SN74CB3Q3125 device is a high-bandwidth FET bus switch that uses a charge pump to elevate the gate voltage of the pass transistor, thus providing a low and flat ON-state resistance (ron). The low and flat ON-state resistance allows for minimal propagation delay and supports rail-to-rail switching on the data input/output (I/O) ports. The SN74CB3Q3125 device also features low data I/O capacitance to minimize capacitive loading and signal distortion on the data bus.

The SN74CB3Q3125 device is a high-bandwidth FET bus switch that uses a charge pump to elevate the gate voltage of the pass transistor, thus providing a low and flat ON-state resistance (ron). The low and flat ON-state resistance allows for minimal propagation delay and supports rail-to-rail switching on the data input/output (I/O) ports. The SN74CB3Q3125 device also features low data I/O capacitance to minimize capacitive loading and signal distortion on the data bus.

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用户指南 Signal Switch Data Book (Rev. A) 2003年 11月 14日
应用手册 Bus FET Switch Solutions for Live Insertion Applications 2003年 2月 7日

设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

接口适配器

LEADED-ADAPTER1 — 用于快速测试 TI 5、8、10、16 和 24 引脚引线式封装的表面贴装转 DIP 接头适配器

EVM-LEADED1 板可对 TI 的常见引线式封装进行快速测试和电路板试验。该评估板具有足够的空间,可将 TI 的 D、DBQ、DCT、DCU、DDF、DGS、DGV 和 PW 表面贴装封装转换为 100mil DIP 接头。     

用户指南: PDF
TI.com 上无现货
仿真模型

HSPICE MODEL OF SN74CB3Q3125

SCEJ199.ZIP (93 KB) - HSpice Model
仿真模型

SN74CB3Q3125 IBIS Model (Rev. A)

SCDM067A.ZIP (25 KB) - IBIS Model
参考设计

TIDA-00180 — 适用于位置编码器接口的具有可编程输出电压和保护的电源

此参考设计实现了具有可编程输出电压和创新智能电子保险丝技术的通用电源,可用于工业驱动器上的多标准位置编码器接口模块。电子保险丝提供浪涌电流和过流保护,以及用户可编程的过压和欠压保护,在整个工业温度范围内具有准确的限值。此设计满足 IEC61800-3 中针对 ESD、快速瞬变脉冲和浪涌而规定的 EMC 抗扰性要求。
设计指南: PDF
原理图: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SSOP (DBQ) 16 Ultra Librarian
TSSOP (PW) 14 Ultra Librarian
TVSOP (DGV) 14 Ultra Librarian
VQFN (RGY) 14 Ultra Librarian

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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支持和培训

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