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SN74CB3Q3306A-EP

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双路 FET 总线开关、2.5V/3.3V、低压高带宽总线开关

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米6体育平台手机版_好二三四详情

Configuration 1:1 SPST Number of channels 2 Power supply voltage - single (V) 2.5, 3.3 Protocols Analog, I2C, UART Ron (typ) (Ω) 5 CON (typ) (pF) 8 Supply current (typ) (µA) 250 Bandwidth (MHz) 500 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Features Powered-off protection, Supports input voltage beyond supply Input/output continuous current (max) (mA) 64 Rating HiRel Enhanced Product Drain supply voltage (max) (V) 3.6 Supply voltage (max) (V) 1.3
Configuration 1:1 SPST Number of channels 2 Power supply voltage - single (V) 2.5, 3.3 Protocols Analog, I2C, UART Ron (typ) (Ω) 5 CON (typ) (pF) 8 Supply current (typ) (µA) 250 Bandwidth (MHz) 500 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Features Powered-off protection, Supports input voltage beyond supply Input/output continuous current (max) (mA) 64 Rating HiRel Enhanced Product Drain supply voltage (max) (V) 3.6 Supply voltage (max) (V) 1.3
TSSOP (PW) 8 19.2 mm² 3 x 6.4
  • 高带宽数据路径（高达 500MHz(1)）
  • 支持器件加电与断电的 5V 容限 I/O
  • 工作范围内低且平的导通状态电阻 (ron)
    特性
    （ron = 4Ω 典型值）
  • 数据 I/O 端口上的轨到轨切换
    • 3.3V VCC 时的 0 至 5V 切换
    • 2.5V VCC 时的 0 至 3.3V 切换
  • 支持近零传播延迟的双向数据流
  • 低输入/输出电容最大限度地减少
    加载和信号失真
    （Cio(OFF) = 3.5pF 典型值）
  • 快速开关频率（fOE = 20MHz 最大值）
  • 数据与控制输入提供下冲钳位二极管
  • 低功耗（ICC = 0.25mA 典型值）
  • 2.3V 至 3.6V 的 VCC 工作电压范围
  • 数据 I/O 支持 0 至 5 V 信号传输级
    (0.8V，1.2V，1.5V，1.8V，2.5V，3.3V，5V）
  • 控制输入可由 TTL 或
    5V/3.3V CMOS 输出驱动
  • Ioff 支持部分断电模式工作 要获得与 CB3Q 系列性能特点相关的额外信息，请参考 TI 应用报告，，文献编号 SCDA008。
  • 锁断性能超过 100mA
    符合 JESD 78，II 类规范的要求
  • 静电放电 (ESD) 性能测试符合 JESD 22 标准
    • 2000V 人体模型
      （A114-B，II 类）
    • 1000V 充电器件模型 (C101)
  • 支持数字和模拟应用：USB 接口，差分信号接口，总线隔离，低失真信号选通

支持国防、航空航天、和医疗应用

  • 受控基线
  • 同一组装和测试场所
  • 同一制造场所
  • 支持军用（-55°C 至 125°C）温度范围
  • 延长的米6体育平台手机版_好二三四生命周期
  • 延长的米6体育平台手机版_好二三四变更通知
  • 米6体育平台手机版_好二三四可追溯性
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  • 工作范围内低且平的导通状态电阻 (ron)
    特性
    （ron = 4Ω 典型值）
  • 数据 I/O 端口上的轨到轨切换
    • 3.3V VCC 时的 0 至 5V 切换
    • 2.5V VCC 时的 0 至 3.3V 切换
  • 支持近零传播延迟的双向数据流
  • 低输入/输出电容最大限度地减少
    加载和信号失真
    （Cio(OFF) = 3.5pF 典型值）
  • 快速开关频率（fOE = 20MHz 最大值）
  • 数据与控制输入提供下冲钳位二极管
  • 低功耗（ICC = 0.25mA 典型值）
  • 2.3V 至 3.6V 的 VCC 工作电压范围
  • 数据 I/O 支持 0 至 5 V 信号传输级
    (0.8V，1.2V，1.5V，1.8V，2.5V，3.3V，5V）
  • 控制输入可由 TTL 或
    5V/3.3V CMOS 输出驱动
  • Ioff 支持部分断电模式工作 要获得与 CB3Q 系列性能特点相关的额外信息，请参考 TI 应用报告，，文献编号 SCDA008。
  • 锁断性能超过 100mA
    符合 JESD 78，II 类规范的要求
  • 静电放电 (ESD) 性能测试符合 JESD 22 标准
    • 2000V 人体模型
      （A114-B，II 类）
    • 1000V 充电器件模型 (C101)
  • 支持数字和模拟应用：USB 接口，差分信号接口，总线隔离，低失真信号选通

支持国防、航空航天、和医疗应用

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SN74CB3Q3306A 是一款高带宽 FET 总线开关，此开关利用一个电荷泵来提升导通晶体管的栅极电压，从而提供一个低平的导通状态电阻 (ron)。 低平导通状态电阻可实现最小传播延迟，并且支持数据输入/输出 (I/O) 端口上的轨到轨切换。 此器件还特有低数据 I/O 电容，以最大限度地减少数据总线上的电容负载和信号失真。 专门设计用于支持高带宽应用，SN74CB3Q3306A 提供非常适合于宽带通信、网络互联、以及数据密集型计算系统的经优化的接口解决方案。

SN74CB3Q3306A 可组成两个 1 位开关，此开关具有分离输出使能 (1OE，2OE) 输入。 它即可用作 2 个 1 位总线开关，也可用作 1 个 2 位总线开关。 当 OE 为低电平时，相关 1 位总线开关打开，并且 A 端口被连接至 B 端口，从而实现两个端口之间的双向数据流。 当 OE 为高电平时，相关 1 位总线开关关闭，并且在 A 与 B 端口之间存在高阻抗状态。

该器件完全符合使用 Ioff 的部分断电应用的规范要求。 Ioff 电路可防止在器件断电时电流回流对器件造成损坏。 该器件可在关闭时提供隔离。

为了确保加电或断电期间的高阻抗状态，OE 应通过一个上拉电阻器被连接至 VCC；该电阻器的最小值由驱动器的电流吸入能力来决定。

SN74CB3Q3306A 是一款高带宽 FET 总线开关，此开关利用一个电荷泵来提升导通晶体管的栅极电压，从而提供一个低平的导通状态电阻 (ron)。 低平导通状态电阻可实现最小传播延迟，并且支持数据输入/输出 (I/O) 端口上的轨到轨切换。 此器件还特有低数据 I/O 电容，以最大限度地减少数据总线上的电容负载和信号失真。 专门设计用于支持高带宽应用，SN74CB3Q3306A 提供非常适合于宽带通信、网络互联、以及数据密集型计算系统的经优化的接口解决方案。

SN74CB3Q3306A 可组成两个 1 位开关，此开关具有分离输出使能 (1OE，2OE) 输入。 它即可用作 2 个 1 位总线开关，也可用作 1 个 2 位总线开关。 当 OE 为低电平时，相关 1 位总线开关打开，并且 A 端口被连接至 B 端口，从而实现两个端口之间的双向数据流。 当 OE 为高电平时，相关 1 位总线开关关闭，并且在 A 与 B 端口之间存在高阻抗状态。

该器件完全符合使用 Ioff 的部分断电应用的规范要求。 Ioff 电路可防止在器件断电时电流回流对器件造成损坏。 该器件可在关闭时提供隔离。

为了确保加电或断电期间的高阻抗状态，OE 应通过一个上拉电阻器被连接至 VCC；该电阻器的最小值由驱动器的电流吸入能力来决定。
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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 双FET 总线开关2.5V/3.3V 低压高带宽总线开关 数据表 英语版 PDF | HTML 2014年 1月 30日
* VID SN74CB3Q3306A-EP VID V6214606 2016年 6月 21日
* 辐射与可靠性报告 CCB3Q3306AMPWREP Reliability Report 2014年 12月 16日
应用手册 选择正确的米6体育平台手机版_好二三四 (TI) 信号开关 (Rev. E) PDF | HTML 英语版 (Rev.E) PDF | HTML 2022年 8月 5日
应用手册 CBT-C、CB3T 和 CB3Q 信号开关系列 (Rev. C) PDF | HTML 英语版 (Rev.C) PDF | HTML 2022年 3月 11日
应用手册 多路复用器和信号开关词汇表 (Rev. B) 英语版 (Rev.B) PDF | HTML 2022年 3月 11日
选择指南 Logic Guide (Rev. AB) 2017年 6月 12日
应用手册 Understanding and Interpreting Standard-Logic Data Sheets (Rev. C) 2015年 12月 2日
选择指南 逻辑器件指南 2014 (Rev. AA) 最新英语版本 (Rev.AB) 2014年 11月 17日
用户指南 LOGIC Pocket Data Book (Rev. B) 2007年 1月 16日
更多文献资料 Digital Bus Switch Selection Guide (Rev. A) 2004年 11月 10日
应用手册 Semiconductor Packing Material Electrostatic Discharge (ESD) Protection 2004年 7月 8日
用户指南 Signal Switch Data Book (Rev. A) 2003年 11月 14日
应用手册 Bus FET Switch Solutions for Live Insertion Applications 2003年 2月 7日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

DIP-ADAPTER-EVM — DIP 适配器评估模块

借助 DIP-Adapter-EVM 加快运算放大器的原型设计和测试，该 EVM 有助于快速轻松地连接小型表面贴装 IC 并且价格低廉。您可以使用随附的 Samtec 端子板连接任何受支持的运算放大器，或者将这些端子板直接连接至现有电路。

DIP-Adapter-EVM 套件支持六种常用的业界通用封装，包括：

  • D 和 U (SOIC-8)
  • PW (TSSOP-8)
  • DGK（MSOP-8、VSSOP-8）
  • DBV（SOT23-6、SOT23-5 和 SOT23-3）
  • DCK（SC70-6 和 SC70-5）
  • DRL (SOT563-6)
用户指南: PDF
TI.com 上无现货
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
TSSOP (PW) 8 Ultra Librarian
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订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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支持和培训

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