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SN74CBTLV1G125

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3.3V、1:1 (SPST)、1 通道 FET 总线开关

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米6体育平台手机版_好二三四详情

Configuration 1:1 SPST Number of channels 1 Power supply voltage - single (V) 2.5, 3.3 Protocols Analog Ron (typ) (Ω) 5 ON-state leakage current (max) (µA) 1 Bandwidth (MHz) 200 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Features Powered-off protection Input/output continuous current (max) (mA) 128 Rating Catalog Drain supply voltage (max) (V) 3.6 Supply voltage (max) (V) 3.6
Configuration 1:1 SPST Number of channels 1 Power supply voltage - single (V) 2.5, 3.3 Protocols Analog Ron (typ) (Ω) 5 ON-state leakage current (max) (µA) 1 Bandwidth (MHz) 200 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Features Powered-off protection Input/output continuous current (max) (mA) 128 Rating Catalog Drain supply voltage (max) (V) 3.6 Supply voltage (max) (V) 3.6
SOT-23 (DBV) 5 8.12 mm² 2.9 x 2.8 SOT-SC70 (DCK) 5 4.2 mm² 2 x 2.1
  • 5– Switch Connection Between Two Ports
  • Rail–to–Rail Switching on Data I/O Ports
  • Ioff Supports Partial–Power–Down Mode Operation
  • 5– Switch Connection Between Two Ports
  • Rail–to–Rail Switching on Data I/O Ports
  • Ioff Supports Partial–Power–Down Mode Operation

The SN74CBTLV1G125 features a single high–speed line switch. The switch is disabled when the output–enable (OE) input is high.

This device is fully specified for partial–power–down applications using Ioff. The Ioff feature ensures that damaging current will not backflow through the device when it is powered down. The device has isolation during power off.

To ensure the high–impedance state during power up or power down, OE should be tied to VCC through a pullup resistor; the minimum value of the resistor is determined by the current–sinking capability of the driver.

The SN74CBTLV1G125 features a single high–speed line switch. The switch is disabled when the output–enable (OE) input is high.

This device is fully specified for partial–power–down applications using Ioff. The Ioff feature ensures that damaging current will not backflow through the device when it is powered down. The device has isolation during power off.

To ensure the high–impedance state during power up or power down, OE should be tied to VCC through a pullup resistor; the minimum value of the resistor is determined by the current–sinking capability of the driver.
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设计和开发

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借助 DIP-Adapter-EVM 加快运算放大器的原型设计和测试，该 EVM 有助于快速轻松地连接小型表面贴装 IC 并且价格低廉。您可以使用随附的 Samtec 端子板连接任何受支持的运算放大器，或者将这些端子板直接连接至现有电路。

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  • PW (TSSOP-8)
  • DGK（MSOP-8、VSSOP-8）
  • DBV（SOT23-6、SOT23-5 和 SOT23-3）
  • DCK（SC70-6 和 SC70-5）
  • DRL (SOT563-6)
用户指南: PDF
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仿真模型

HSPICE Model for SN74CBTLV1G125

SCDJ015.ZIP (35 KB) - HSpice Model
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仿真模型

SN74CBTLV1G125 IBIS Model

SCDM072.ZIP (24 KB) - IBIS Model
下载
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOT-23 (DBV) 5 Ultra Librarian
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订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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