TLV3011B-Q1
- 符合汽车应用要求
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:
- 器件温度等级 1:–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
- 器件 HBM ESD 分类等级 2
- 器件 CDM ESD 分类等级 C6
- 低静态电流:3.1µA(最大值,“B”版本)
- 集成电压基准:1.242 V
- 输入共模范围:超过电源轨 200mV
- 电压基准初始精度:1%
- 失效防护输入(“B”版本)
- 上电复位(“B”版本)
- 集成迟滞(“B”版本)
-
开漏输出选项 (TLV3011x -Q1)
-
推挽输出选项 (TLV3012x -Q1)
-
快速响应时间:6uS
- 低电源电压 = 1.65V 至 5.5V(“B”版本)
TLV3011 -Q1 是一款低功耗、开漏输出比较器;TLV3012 -Q1 是一款推挽输出比较器。这两款器件均具有非限定的片上电压基准,静态电流为 5µA(最大值),输入共模范围超出电源轨 200mV,单电源电压范围为 1.8V 至 5.5V。集成的 1.242V 系列电压基准提供 100ppm/°C(最大值)的低温漂,在高达 10nF 的容性负载下保持稳定,并且可以提供高达 0.5mA(典型值)的输出电流。
TLV3011B -Q1 和 TLV3012B -Q1“B”版本添加了上电复位 (POR)、失效防护输入、内置迟滞、1.65V 的较低最小电源电压和 3.1µA 的最大静态电流。
该系列采用微型 SOT23-6 和 SC-70 两种封装,前者可实现节省空间的设计,后者可进一步节省电路板面积。所有版本的额定工作温度范围均为 –40°C 至 +125°C。
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功能与比较器件相同,且具有相同引脚
技术文档
类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
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* | 数据表 | TLV3011-Q1、TLV3012-Q1、TLV3011B-Q1 和 TLV3012B-Q1 具有集成 1.24V 电压基准的低功耗比较器 数据表 (Rev. C) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.C) | PDF | HTML | 2023年 4月 28日 |
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设计和开发
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DIP-ADAPTER-EVM — DIP 适配器评估模块
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DIP-Adapter-EVM 套件支持六种常用的业界通用封装,包括:
- D 和 U (SOIC-8)
- PW (TSSOP-8)
- DGK(MSOP-8、VSSOP-8)
- DBV(SOT23-6、SOT23-5 和 SOT23-3)
- DCK(SC70-6 和 SC70-5)
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如需获取可用 TINA-TI 模型的完整列表,请参阅:SpiceRack - 完整列表
需要 HSpice (...)
封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
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SOT-23 (DBV) | 6 | Ultra Librarian |
SOT-SC70 (DCK) | 6 | Ultra Librarian |
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