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Continuous current (max) (A) 80 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 600 Sensitivity (typ) (mV/mT) 25, 50, 75, 100, 150 Input offset current (±) (max) (mA) 37.5, 40, 45, 50, 80 Input offset current drift (±) (typ) (µA/°C) 670, 800, 933, 1200 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 3 Iq (max) (mA) 14 Small-signal bandwidth (kHz) 250 Sensitivity error (%) 1 Sensitivity error drift (±) (max) (ppm/°C) 100 Propagation delay time (typ) (ns) 130 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 Creepage (min) (mm) 8.1 Clearance (min) (mm) 8.1 Isolation rating Reinforced Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000
Continuous current (max) (A) 80 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 600 Sensitivity (typ) (mV/mT) 25, 50, 75, 100, 150 Input offset current (±) (max) (mA) 37.5, 40, 45, 50, 80 Input offset current drift (±) (typ) (µA/°C) 670, 800, 933, 1200 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 3 Iq (max) (mA) 14 Small-signal bandwidth (kHz) 250 Sensitivity error (%) 1 Sensitivity error drift (±) (max) (ppm/°C) 100 Propagation delay time (typ) (ns) 130 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 Creepage (min) (mm) 8.1 Clearance (min) (mm) 8.1 Isolation rating Reinforced Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000
SOIC (DVG) 10 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 高持续电流能力:80ARMS
  • 可靠的增强型隔离
  • 高精度
    • 灵敏度误差:±0.4%
    • 灵敏度热漂移:±40ppm/°C
    • 灵敏度寿命漂移:±0.2%
    • 失调电压误差:±0.7mV
    • 偏移热漂移:±10µV/°C
    • 偏移寿命漂移: ±12mA
    • 非线性:±0.2%
  • 对外部磁场具有高抗扰度
  • 快速响应
    • 信号带宽:250kHz
    • 响应时间:1µs
    • 传播延迟:110ns
  • 工作电源电压范围:3V 至 5.5V
  • 双向和单向电流检测
  • 多个灵敏度选项:
    • 范围为 25mV/A 至 200mV/A
  • 安全相关认证(计划)
    • UL 1577 组件认证计划
    • IEC/CB 62368-1
  • 高持续电流能力:80ARMS
  • 可靠的增强型隔离
  • 高精度
    • 灵敏度误差:±0.4%
    • 灵敏度热漂移:±40ppm/°C
    • 灵敏度寿命漂移:±0.2%
    • 失调电压误差:±0.7mV
    • 偏移热漂移:±10µV/°C
    • 偏移寿命漂移: ±12mA
    • 非线性:±0.2%
  • 对外部磁场具有高抗扰度
  • 快速响应
    • 信号带宽:250kHz
    • 响应时间:1µs
    • 传播延迟:110ns
  • 工作电源电压范围:3V 至 5.5V
  • 双向和单向电流检测
  • 多个灵敏度选项:
    • 范围为 25mV/A 至 200mV/A
  • 安全相关认证(计划)
    • UL 1577 组件认证计划
    • IEC/CB 62368-1

TMCS1127 是一款电隔离霍尔效应电流传感器,具有业界出色的隔离功能和精度。该器件还提供与输入电流成正比的输出电压,且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下,在温度和寿命范围内实现小于 2.75% 的最大灵敏度误差,或在一次性室温校准的情况下,实现小于 1.5% 的最大灵敏度误差(包括寿命和温度漂移)。

交流或直流输入电流流经内部导体,所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量。无磁芯结构消除了对磁集中器的需求。差分霍尔传感器可抑制外部杂散磁场产生的干扰。低导体电阻将可测量电流范围提高至 ±96A,同时更大程度地降低功率损耗并降低散热要求。绝缘能够承受 5kVRMS,加上最小 8mm 的爬电距离和间隙,可提供高电平的可靠寿命增强型工作电压。集成式屏蔽可提供出色的共模抑制和瞬态抗扰度。

固定的灵敏度允许器件使用单个 3V 至 5.5V 的电源运行,因此消除了比例式误差并提高了电源噪声抑制能力。

TMCS1127 是一款电隔离霍尔效应电流传感器,具有业界出色的隔离功能和精度。该器件还提供与输入电流成正比的输出电压,且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下,在温度和寿命范围内实现小于 2.75% 的最大灵敏度误差,或在一次性室温校准的情况下,实现小于 1.5% 的最大灵敏度误差(包括寿命和温度漂移)。

交流或直流输入电流流经内部导体,所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量。无磁芯结构消除了对磁集中器的需求。差分霍尔传感器可抑制外部杂散磁场产生的干扰。低导体电阻将可测量电流范围提高至 ±96A,同时更大程度地降低功率损耗并降低散热要求。绝缘能够承受 5kVRMS,加上最小 8mm 的爬电距离和间隙,可提供高电平的可靠寿命增强型工作电压。集成式屏蔽可提供出色的共模抑制和瞬态抗扰度。

固定的灵敏度允许器件使用单个 3V 至 5.5V 的电源运行,因此消除了比例式误差并提高了电源噪声抑制能力。

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技术文档

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* 数据表 TMCS1127 、具有 增强型 隔离 工作电压和环境磁场抑制功能的 250kHz 霍尔效应电流传感器 数据表 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2024年 6月 19日
EVM 用户指南 TMCS1127x 评估模块 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2024年 7月 16日
证书 TMCS1127AEVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2023年 8月 21日
证书 TMCS1127BEVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2023年 8月 21日
证书 TMCS1127CEVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2023年 8月 21日
应用简报 低漂移、高精度、直插式隔离磁性电机电流测量 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) 2023年 7月 31日

设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

TMCS-A-ADAPTER-EVM — 适用于 DVG、DVF 或 DZP 封装的 TMCS 隔离式霍尔效应电流传感器适配器卡(不包括 IC)

TMCS-A-ADAPTER-EVM 评估模块 (EVM) 旨在促进快速、方便地使用具有 DVG、DVF 或 DZP 封装的 TMCS 隔离式霍尔效应精密电流检测监控器。此 EVM 支持用户通过霍尔输入侧推送高达 90A 的电流,同时通过隔离栅测量隔离式输出。TMCS-A-ADAPTER-EVM 只有一个未组装的 PCB,预留了用于组装测试点的位置和用于器件评估的分线接头引脚。PCB 焊盘采用重叠结构,因此任何 DVG、DVF 或 DZP TMCS 器件都能与 TMCS-A-ADAPTER-EVM 配合使用。

用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
TI.com 上无现货
评估板

TMCS1127EVM — TMCS1127 评估模块

TMCS1127EVM 评估模块 (EVM) 旨在实现 TMCS1127 的快速便捷使用,TMCS1127 是一款采用内部基准的隔离式霍尔效应精密电流检测监测器。此 EVM 支持用户在霍尔输入侧提供最大工作电流,同时通过增强型隔离栅测量隔离式输出。此电路板布局并非是目标电路的模型,也并非专门用于电磁 (EMI) 测试。TMCS1127EVM 由单个印刷电路板构成,可拆分为五个单独部分,支持用户测试单个静态点的所有灵敏度变化(A = 2.5V、B = 1.65V 或 C = 0.33V)。
用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
参考设计

TIDA-010949 — 600W solar power optimizer reference design based on GaN with wired and wireless communication

This reference design is a solar power optimizer, which can support up to 80V input voltage and 80V output voltage, providing up to 18A output and input current. The design uses a configurable four-switch buck-boost converter to step up or step down the panel current to the string current. The (...)
设计指南: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (DVG) 10 Ultra Librarian

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

支持和培训

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