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TPSI2072-Q1

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具有 2mA 雪崩额定值的汽车类双通道 600V、50mA 隔离开关

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Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3750 FET Internal Number of channels 2 Supply voltage (min) (V) 4.5 Supply voltage (max) (V) 20 Imax (A) 0.05 Features 2-mA avalanche current, Capacitive isolation TI functional safety category Functional Safety-Capable Operating temperature range (°C) -40 to 125 Turnoff time (disable) (ns) 100000 OFF-state leakage current (µA) 1 Rating Automotive
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SOIC (DWQ) 11 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 符合汽车应用要求
    • AEC-Q100 等级 1：–40°C 至 125°C，T A
  • 集成雪崩额定 MOSFET
    • 针对电介质耐压测试 (Hi-Pot) 可靠性进行设计和认证
      • I AVA = 2mA（5s 脉冲），1mA（60s 脉冲）
      • V HIPOT, 5-s = 4300V，R series > 1.83MΩ
      • V HIPOT, 5-s = 2850V，R series > 1.1MΩ
    • 600V 关断电压
    • R ON = 65Ω (T J = 25°C)
    • 当电压为 500V (T J = 105°C) 时，I OFF = 1µA
  • 低初级侧电源电流
    • 5mA 单通道、9mA 双通道导通状态电流
  • 功能安全型
    • 可帮助进行 ISO 26262 和 IEC 61508 系统设计的文档
  • 稳健可靠的隔离栅：
    • 在 1000V RMS/1500V DC 工作电压下预计寿命超过 26 年
    • 隔离额定值 V ISO 高达 3750V RMS/5300V DC
  • SOIC 11 引脚 (DWQ) 封装 ，具有宽引脚，可提高热性能
    • 爬电距离和间隙 ≥ 8mm（初级-次级）
    • 爬电距离和间隙 ≥ 3mm（开关端子之间）
  • 安全相关认证
    • （计划）DIN VDE V 0884-11:2017-01
    • （计划）UL 1577 组件认证计划
  • 符合汽车应用要求
    • AEC-Q100 等级 1：–40°C 至 125°C，T A
  • 集成雪崩额定 MOSFET
    • 针对电介质耐压测试 (Hi-Pot) 可靠性进行设计和认证
      • I AVA = 2mA（5s 脉冲），1mA（60s 脉冲）
      • V HIPOT, 5-s = 4300V，R series > 1.83MΩ
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    • R ON = 65Ω (T J = 25°C)
    • 当电压为 500V (T J = 105°C) 时，I OFF = 1µA
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  • 功能安全型
    • 可帮助进行 ISO 26262 和 IEC 61508 系统设计的文档
  • 稳健可靠的隔离栅：
    • 在 1000V RMS/1500V DC 工作电压下预计寿命超过 26 年
    • 隔离额定值 V ISO 高达 3750V RMS/5300V DC
  • SOIC 11 引脚 (DWQ) 封装 ，具有宽引脚，可提高热性能
    • 爬电距离和间隙 ≥ 8mm（初级-次级）
    • 爬电距离和间隙 ≥ 3mm（开关端子之间）
  • 安全相关认证
    • （计划）DIN VDE V 0884-11:2017-01
    • （计划）UL 1577 组件认证计划

TPSI2072-Q1 是一款 双通道隔离式固态继电器，专为高电压汽车和工业应用而设计。 TPSI2072-Q1 与 TI 具有高可靠性的电容隔离技术和内部背对背 MOSFET 整合在一起，形成了一款完全集成式解决方案，无需次级侧电源。 TPSI2072-Q1 可提高系统可靠性，因为 TI 的电容隔离技术不会受到机械继电器和光继电器元件中常见的机械损耗或光退化故障模式的影响。

该器件的初级侧仅由 9mA 的输入电流供电，并集成了 失效防护引脚 EN1 和 EN2，可防止对 VDD 电源反向供电的任何可能性。在大多数应用中，器件的 VDD 引脚应连接到 4.5V 至 20V 的系统电源，并且器件的 EN1 和 EN2 引脚应由逻辑高电平介于 2.1V 至 20V 之间的 GPIO 输出驱动。在其他应用中， VDD、EN1 和 EN2 引脚可直接由系统电源或 GPIO 输出驱动。

次级侧 的每个通道都包含背对背 MOSFET，从 SM 至 S1 以及 SM 至 S2 的关断电压为 +/-600 V。 TPSI2072-Q1 MOSFET 的雪崩稳健性和热敏感封装设计使其能够可靠地支持系统级电介质耐压测试 (HiPot)，并且无需任何外部元件即可承受高达 2mA 的直流快速充电器浪涌电流。

TPSI2072-Q1 是一款 双通道隔离式固态继电器，专为高电压汽车和工业应用而设计。 TPSI2072-Q1 与 TI 具有高可靠性的电容隔离技术和内部背对背 MOSFET 整合在一起，形成了一款完全集成式解决方案，无需次级侧电源。 TPSI2072-Q1 可提高系统可靠性，因为 TI 的电容隔离技术不会受到机械继电器和光继电器元件中常见的机械损耗或光退化故障模式的影响。

该器件的初级侧仅由 9mA 的输入电流供电，并集成了 失效防护引脚 EN1 和 EN2，可防止对 VDD 电源反向供电的任何可能性。在大多数应用中，器件的 VDD 引脚应连接到 4.5V 至 20V 的系统电源，并且器件的 EN1 和 EN2 引脚应由逻辑高电平介于 2.1V 至 20V 之间的 GPIO 输出驱动。在其他应用中， VDD、EN1 和 EN2 引脚可直接由系统电源或 GPIO 输出驱动。

次级侧 的每个通道都包含背对背 MOSFET，从 SM 至 S1 以及 SM 至 S2 的关断电压为 +/-600 V。 TPSI2072-Q1 MOSFET 的雪崩稳健性和热敏感封装设计使其能够可靠地支持系统级电介质耐压测试 (HiPot)，并且无需任何外部元件即可承受高达 2mA 的直流快速充电器浪涌电流。
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