主页 开关与多路复用器 特定于协议的开关和多路复用器
主页
开关与多路复用器
特定于协议的开关和多路复用器

TS3DDR4000

正在供货

3.3V、2:1 (SPDT)、12 通道 DDR2、DDR3 和 DDR4 开关

立即订购
数据表

TS3DDR4000

正在供货
数据表 立即订购

米6体育平台手机版_好二三四详情

Protocols DDR2, DDR3, DDR4, MIPI Configuration 2:1 SPDT Number of channels 12 Supply voltage (max) (V) 3.6 Supply voltage (min) (V) 2.375 Ron (typ) (mΩ) 8300 Input/output voltage (min) (V) 0 Input/output voltage (max) (V) 3.3 Supply current (typ) (µA) 40 ESD HBM (typ) (kV) 3 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Crosstalk (dB) -68 COFF (typ) (pF) 1 CON (typ) (pF) 0.5 Off isolation (typ) (dB) -34 OFF-state leakage current (max) (µA) 5 Ron (max) (mΩ) 11200 Ron channel match (max) (Ω) 1 RON flatness (typ) (Ω) 0.6 Turnoff time (disable) (max) (ns) 65 Turnon time (enable) (max) (ns) 65 VIH (min) (V) 1.4 VIL (max) (V) 0.5
Protocols DDR2, DDR3, DDR4, MIPI Configuration 2:1 SPDT Number of channels 12 Supply voltage (max) (V) 3.6 Supply voltage (min) (V) 2.375 Ron (typ) (mΩ) 8300 Input/output voltage (min) (V) 0 Input/output voltage (max) (V) 3.3 Supply current (typ) (µA) 40 ESD HBM (typ) (kV) 3 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Crosstalk (dB) -68 COFF (typ) (pF) 1 CON (typ) (pF) 0.5 Off isolation (typ) (dB) -34 OFF-state leakage current (max) (µA) 5 Ron (max) (mΩ) 11200 Ron channel match (max) (Ω) 1 RON flatness (typ) (Ω) 0.6 Turnoff time (disable) (max) (ns) 65 Turnon time (enable) (max) (ns) 65 VIH (min) (V) 1.4 VIL (max) (V) 0.5
NFBGA (ZBA) 48 24 mm² 8 x 3
  • 宽 VDD 范围：2.375V 至 3.6V
  • 高带宽：5.6GHz（单端典型值）；6.0GHz（差分典型值）
  • 低开关导通电阻 (RON)：8Ω（典型值）
  • 低位间偏差：3ps（典型值）；所有通道的最大值为 6ps
  • 低串扰：1067MHz 下的典型值为 –34dB
  • 低工作电流：40µA（典型值）
  • 具有低功耗模式，电流消耗极低：2µA（典型值）
  • IOFF保护防止断电状态 (VCC = 0V) 下的电流泄漏
  • 支持 POD_12、SSTL_12、SSTL_15 和 SSTL_18 信令
  • 静电放电 (ESD) 性能:
    • 3kV 人体放电模式（A114B，II 类）
    • 1kV 组件充电模式 (C101)
  • 8mm x 3mm 48 焊球 0.65mm 间距 ZBA 封装
  • 宽 VDD 范围：2.375V 至 3.6V
  • 高带宽：5.6GHz（单端典型值）；6.0GHz（差分典型值）
  • 低开关导通电阻 (RON)：8Ω（典型值）
  • 低位间偏差：3ps（典型值）；所有通道的最大值为 6ps
  • 低串扰：1067MHz 下的典型值为 –34dB
  • 低工作电流：40µA（典型值）
  • 具有低功耗模式，电流消耗极低：2µA（典型值）
  • IOFF保护防止断电状态 (VCC = 0V) 下的电流泄漏
  • 支持 POD_12、SSTL_12、SSTL_15 和 SSTL_18 信令
  • 静电放电 (ESD) 性能:
    • 3kV 人体放电模式（A114B，II 类）
    • 1kV 组件充电模式 (C101)
  • 8mm x 3mm 48 焊球 0.65mm 间距 ZBA 封装

TS3DDR4000 是一款 1:2 或 2:1 高速 DDR2/DDR3/DDR4 开关，可实现 12 位宽总线切换。该器件可针对所有位同时将 A 端口切换为 B 或 C 端口。TS3DDR4000 设计用于 DDR2、DDR3 和 DDR4 存储器总线系统，并且采用一种专有架构，可提供高带宽（单端 5.6GHz 下的带宽为 -3dB）、低频下的低插入损耗以及超低传播延迟等诸多优势。TS3DDR4000 兼容 1.8V 逻辑，并且所有开关均为双向开关，提高了设计灵活性。此外，TS3DDR4000 还具有低功耗模式。在此模式下，所有通道均呈高阻态且器件功耗最低。

TS3DDR4000 是一款 1:2 或 2:1 高速 DDR2/DDR3/DDR4 开关，可实现 12 位宽总线切换。该器件可针对所有位同时将 A 端口切换为 B 或 C 端口。TS3DDR4000 设计用于 DDR2、DDR3 和 DDR4 存储器总线系统，并且采用一种专有架构，可提供高带宽（单端 5.6GHz 下的带宽为 -3dB）、低频下的低插入损耗以及超低传播延迟等诸多优势。TS3DDR4000 兼容 1.8V 逻辑，并且所有开关均为双向开关，提高了设计灵活性。此外，TS3DDR4000 还具有低功耗模式。在此模式下，所有通道均呈高阻态且器件功耗最低。
filter 查找其他 特定于协议的开关和多路复用器
下载 观看带字幕的视频 视频

技术文档

star =有关此米6体育平台手机版_好二三四的 TI 精选热门文档
未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 6
类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 TS3DDR4000 12 位 1:2 高速 DDR2/DDR3/DDR4 开关/多路复用器 数据表 (Rev. C) PDF | HTML 英语版 (Rev.C) PDF | HTML 2019年 5月 20日
米6体育平台手机版_好二三四概述 Mipi Switches PDF | HTML 2022年 1月 14日
技术文章 Memory switches bring reliability and speed to clouding computing PDF | HTML 2016年 1月 5日
EVM 用户指南 TS3DDR4000 EVM User Guide 2015年 2月 20日
应用手册 防止模拟开关的额外功耗 英语版 2008年 7月 15日
应用手册 Semiconductor Packing Material Electrostatic Discharge (ESD) Protection 2004年 7月 8日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

TS3DDR4000-EVM — TS3DDR4000 评估模块

TS3DDR4000-EVM 是一款用于 TI 12 位高速 DDR2、DDR3 和 DDR4 开关/多路复用器的评估模块。该模块可以轻松评估功能开关和逻辑实施。

用户指南: PDF
TI.com 上无现货
仿真模型

TS3DDR4000 HSpice Model

SCDM168.ZIP (5037 KB) - HSpice Model
下载
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
NFBGA (ZBA) 48 Ultra Librarian
应遵守 TI 评估类商品的标准条款与条件。

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐米6体育平台手机版_好二三四可能包含与 TI 此米6体育平台手机版_好二三四相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

视频