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UCC21231

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具有 4A 拉电流和 6A 灌电流的高速双通道隔离式栅极驱动器

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UCC21231

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米6体育平台手机版_好二三四详情

Number of channels 2 Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 1600 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 2263 TI functional safety category Functional Safety-Capable Power switch GaNFET, MOSFET Features Enable, High CMTI, Programmable dead time Output VCC/VDD (max) (V) 25 Output VCC/VDD (min) (V) 6.5 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Fall time (ns) 8 Undervoltage lockout (typ) (V) 5
Number of channels 2 Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 1600 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 2263 TI functional safety category Functional Safety-Capable Power switch GaNFET, MOSFET Features Enable, High CMTI, Programmable dead time Output VCC/VDD (max) (V) 25 Output VCC/VDD (min) (V) 6.5 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Fall time (ns) 8 Undervoltage lockout (typ) (V) 5
WSON (DLG) 13 16 mm² 4 x 4
  • 通用：双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
  • 高达 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
  • 基本隔离额定值为 1.6KVRMS
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 125V/ns
  • 开关参数：
    • 33ns 典型传播延迟
    • 5ns 最大脉宽失真
    • 10µs 最大 VDD 上电延迟
  • 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源，具有 5V VDD UVLO 保护
  • 针对所有电源的 UVLO 保护
  • 电源时序快速启用

  • 4×4mm SON 封装，间距 >1.2mm：

    • 每个通道下的散热焊盘
    • 14.1°C/W RƟJB

  • 结温范围：–40°C 至 +150°C
  • 通用：双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
  • 高达 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
  • 基本隔离额定值为 1.6KVRMS
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 125V/ns
  • 开关参数：
    • 33ns 典型传播延迟
    • 5ns 最大脉宽失真
    • 10µs 最大 VDD 上电延迟
  • 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源，具有 5V VDD UVLO 保护
  • 针对所有电源的 UVLO 保护
  • 电源时序快速启用

  • 4×4mm SON 封装，间距 >1.2mm：

    • 每个通道下的散热焊盘
    • 14.1°C/W RƟJB

  • 结温范围：–40°C 至 +150°C

UCC21231 是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。该器件在极端温度条件下表现出一致的性能和稳定性。UCC21231 采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET 和 GaN 晶体管。

UCC21231 可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个 1.6kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离，其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。

保护功能包括：可通过电阻器编程的死区时间；通过启用功能同时关闭两路输出；集成的抗尖峰滤波器可抑制短于 5ns 的输入瞬变；以及在输入和输出引脚上对高达 -2V 的尖峰进行 200ns 的负电压处理。所有电源都有 UVLO 保护。

UCC21231 器件接受的 VDD 电源电压高达 25V。凭借 3V 至 5.5V 的输入 VCCI 范围，该驱动器非常适合连接数字控制器。所有电源电压引脚都有欠压锁定 (UVLO) 保护机制。

凭借所有这些高级特性，UCC21231 器件能够在各种电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。

UCC21231 是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。该器件在极端温度条件下表现出一致的性能和稳定性。UCC21231 采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET 和 GaN 晶体管。

UCC21231 可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个 1.6kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离，其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。

保护功能包括：可通过电阻器编程的死区时间；通过启用功能同时关闭两路输出；集成的抗尖峰滤波器可抑制短于 5ns 的输入瞬变；以及在输入和输出引脚上对高达 -2V 的尖峰进行 200ns 的负电压处理。所有电源都有 UVLO 保护。

UCC21231 器件接受的 VDD 电源电压高达 25V。凭借 3V 至 5.5V 的输入 VCCI 范围，该驱动器非常适合连接数字控制器。所有电源电压引脚都有欠压锁定 (UVLO) 保护机制。

凭借所有这些高级特性，UCC21231 器件能够在各种电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。
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* 数据表 UCC21231 采用薄型 SON 封装的 4A 拉电流、6A 灌电流、高速双通道隔离式栅极驱动器 数据表 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2024年 9月 25日
EVM 用户指南 UCC21231AEVM-108 评估模块 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2024年 5月 28日
EVM 用户指南 UCC21231AEVM-108 评估模块 PDF | HTML 最新英语版本 (Rev.A) PDF | HTML 2024年 4月 29日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

UCC21231AEVM-108 — UCC21231A 评估模块

UCC21231AEVM-108 专为评估 UCC21231A 栅极驱动器而设计。UCC21231A 是具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流的 1.6kVrms 隔离式双通道栅极驱动器，可驱动 Si MOSFET、IGBT 和 WBG 器件（如 SiC 和 GaN 晶体管）。本用户指南提供了 UCC21231A 的完整评估模块原理图、印刷电路板布局布线、物料清单、测试设置和特性说明。
用户指南: PDF | HTML
英语版 (Rev.A): PDF | HTML
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在 PSpice for TI 设计和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
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  • 持续可靠性监测
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