UCC27512
- 低成本栅极驱动器器件提供 NPN 和 PNP 离散解决方案的高品质替代米6体育平台手机版_好二三四
- 4A 峰值拉电流和 8A 峰值灌电流非对称驱动
- 强劲的灌电流提供增强的抗米勒接通效应性能
- UCC27511 内部采用分离输出配置(便于单独调整接通和关断速度),节省了一个二极管
- 短暂传播延迟(典型值 13ns)
- 短暂上升和下降时间(典型值分别为 9ns 和 7ns)
- 4.5V 至 18V 单电源范围
- VDD 欠压闭锁 (UVLO) 期间输出保持低电平(确保加电和断电时无毛刺脉冲运行)
- 晶体管逻辑 (TTL) 和互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容输入逻辑阈值(与电源电压无关)
- 针对高抗扰度的滞后逻辑阈值
- 双输入设计(可选择反相(IN- 引脚)或非反相(IN+ 引脚)驱动器配置)
- 未使用的输入引脚可用于使能或禁用功能
- 当输入引脚悬空时,输出保持在低电平
- 输入引脚绝对最大电压电平不受 VDD 引脚偏置电源电压的限制
- -40°C 至 140°C 的运行温度范围
- 6 引脚 DBV (SOT-23) 和 6 引脚 DRS(3mm x
3mm 带有外露散热焊盘的晶圆级小外形无引线 (WSON))封装选项
应用
- 开关模式电源
- DC-DC 转换器
- 用于数字电源控制器的伴随栅极驱动器器件
- 太阳能、电机控制、不间断电源 (UPS)
- 用于新上市的宽带隙电源器件(例如 GaN)的栅极驱动器
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UCC27511 和 UCC27512 单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 电源开关。UCC27511 和 UCC27512 采用的设计方案可最大程度减少击穿电流,从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(典型值为 13ns)。
UCC27511 特有 双输入设计,同一器件可灵活实现反相(IN- 引脚)和非反相(IN+ 引脚)配置。IN+ 引脚和 IN- 引脚均可用于控制驱动器输出的状态。未使用的输入引脚可用于启用和禁用功能。出于安全考虑,输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在输入引脚处于悬空状态时,确保输出被保持在低电平。因此,未使用的输入引脚不能保持在悬空状态,而需要被适当的偏置以确保驱动器输出被启用用于正常运行。
UCC27511 器件的输入引脚阈值基于与 TTL 和 COMS 兼容的低电压逻辑电路,此逻辑电路是固定的且与 VDD 电源电压无关。高低阈值间的宽滞后提供了出色的抗扰度。
UCC27511 和 UCC27512 提供 4A 拉电流,8A 灌电流(非对称驱动)峰值驱动电流能力。非对称驱动中的强劲灌电流能力提升了抗寄生、米勒接通效应的能力。UCC27511 器件还 具有 一个独特的分离输出配置,其中的栅极驱动电流通过 OUTH 引脚拉出,通过 OUTL 引脚灌入。这种独特的引脚排列使得用户能够分别在 OUTH 和 OUTL 引脚上使用独立的接通和关断电阻,并且能轻松控制开关转换率。
UCC27511 和 UCC27512 具有 4.5V 至 18V 的宽 VDD 范围,以及 –40°C 至 140°C 的宽温度范围。VDD 引脚上的内部欠压锁定 (UVLO) 电路可在超出 VDD 运行范围时使输出保持低电平。此器件能够在低电压(例如低于 5V)下运行,并且拥有同类米6体育平台手机版_好二三四中较好的开关特性,因此非常适用于驱动诸如 GaN 功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。
技术文档
类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
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* | 数据表 | UCC2751x 单通道、高速、低侧栅极驱动器(具有 4A 峰值拉电流和 8A 峰值灌电流) 数据表 (Rev. F) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.F) | PDF | HTML | 2016年 8月 15日 |
应用简报 | 了解峰值源电流和灌电流 (Rev. A) | 英语版 (Rev.A) | 2020年 4月 29日 | |||
应用简报 | 适用于栅极驱动器的外部栅极电阻器设计指南 (Rev. A) | 英语版 (Rev.A) | 2020年 4月 29日 | |||
应用简报 | How to overcome negative voltage transients on low-side gate drivers' inputs | 2019年 1月 18日 | ||||
更多文献资料 | Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) | 2018年 10月 29日 | ||||
选择指南 | 电源管理指南 2018 (Rev. K) | 2018年 7月 31日 | ||||
应用简报 | Enable Function with Unused Differential Input | 2018年 7月 11日 | ||||
选择指南 | 电源管理指南 2018 (Rev. R) | 2018年 6月 25日 | ||||
更多文献资料 | MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理 | 最新英语版本 (Rev.A) | 2018年 4月 17日 | |||
应用简报 | Low-Side Gate Drivers With UVLO Versus BJT Totem-Pole | 2018年 3月 16日 |
设计和开发
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