ファームウェア
DRV824X-DRV814XQ1EVM-SOFTWARE — Firmware and GUI files for the DRV824x-DRV814XQ1EVM
Firmware and GUI installer for the DRV814xx-Q1EVM and DRV824xx-Q1EVM
データシート
DRV8242-Q1
- 車載アプリケーション用に AEC-Q100 認定済み：
- 温度グレード 1：-40℃～+125℃、TA
- 動作範囲：4.5V～35V (絶対最大定格 40V)
- QFN パッケージ：RON_LS + RON_HS = 250mΩ
- IOUT (最大値) = 6A (QFN)
- 最大 25kHz の PWM 周波数動作、自動デッド タイム生成付き
- 設定可能なスルーレートとスペクトラム拡散クロックによる低電磁干渉 (EMI)
- 統合型の電流センス (シャント抵抗が不要)
- IPROPI ピンへの比例負荷電流出力
- 設定可能な電流レギュレーション
- フォルト応答 (ラッチまたは再試行) を設定可能な保護および診断機能
- オフ状態とオン状態の両方で負荷診断を行い、開放負荷および短絡を検出
- 電源 (VM) の電圧監視
- 過電流保護
- 過熱保護
- nFAULT ピンによるフォルト通知
- 3.3V および 5V のロジック入力電圧をサポート
- 低いスリープ電流、25℃で 1.3µA (標準値)
- 3 つのバリアント - HW (H)、SPI (S)、SPI (P)
- PWM または PH/EN モードを使用するシングル フルブリッジ
- デバイス ファミリの比較表
DRV824x-Q1 デバイス ファミリは、多様な車載用アプリケーション向けの完全統合型 H ブリッジ ドライバです。このデバイスは、PWM またはフェーズ イネーブル制御を備えた双方向フルブリッジ ドライバです。パワー パッケージに収容されたこのモノリシック デバイス ファミリは、BiCMOS 大電力プロセス テクノロジー ノードを採用した設計であり、優れた電力処理能力と放熱特性を達成すると同時に、コンパクトなパッケージ サイズ、使いやすいレイアウト、EMI 制御能力、高精度の電流センス、堅牢性、診断機能も実現しています。このファミリには、同じピン機能でスケーラブルな RON (電流容量) のデバイスがあり、さまざまな負荷に対応できます。
このデバイスには、N チャネル H ブリッジ、チャージ ポンプ レギュレータ、ハイサイド電流検出およびレギュレーション、電流比例出力、保護回路が内蔵されています。低消費電力のスリープ モードにより、低い静止電流を実現できます。このデバイスは、電圧監視機能、負荷診断機能、さらに過電流および過熱に対する保護機能を搭載しています。フォルト条件は nFAULT ピンにより示されます。このデバイスには、3 種類のバリアントが用意されています。ハードワイヤード インターフェイス：HW (H) および 2 つの SPI インターフェイス バリアント：SPI (P) と SPI (S) があり、SPI (P) はロジック電源が外部から供給され、SPI (S) はロジック電源が内部で生成されます。SPI インターフェイス バリアントは、デバイス構成とフォルト監視において、より高い柔軟性があります。
技術資料
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評価ボード
DRV8242H-Q1EVM — DRV8242-Q1 車載、ハードウェア インターフェイス搭載、H ブリッジ モーター ドライバの評価基板
DRV824x-Q1 デバイス・ファミリは、多様な車載アプリケーションを想定した統合型 H ブリッジ・ドライバです。DRV824x-Q1 デバイスは、単一の H ブリッジ・ドライバ、または互いに独立した 2 個のハーフブリッジ・ドライバとして構成できます。このモノリシック ダイ デバイスは、TI の大電力 BiCMOS プロセス テクノロジー ノードを採用した設計であり、パワー パッケージ封止を通じて優れた電力処理能力と放熱特性を達成すると同時に、コンパクトなパッケージ サイズや、使いやすいレイアウト、EMI (電磁干渉) (...)
評価ボード
DRV8242S-Q1EVM — DRV8242-Q1 車載、SPI インターフェイス搭載、H ブリッジ ドライバの評価基板
DRV824x-Q1 デバイス・ファミリは、多様な車載アプリケーションを想定した統合型 H ブリッジ・ドライバです。DRV824x-Q1 デバイスは、単一の H ブリッジ・ドライバ、または互いに独立した 2 個のハーフブリッジ・ドライバとして構成できます。このモノリシック ダイ デバイスは、TI の大電力 BiCMOS プロセス テクノロジー ノードを採用した設計であり、パワー パッケージ封止を通じて優れた電力処理能力と放熱特性を達成すると同時に、コンパクトなパッケージ サイズや、使いやすいレイアウト、EMI (電磁干渉) (...)
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| VQFN (RHL) | 20 | Ultra Librarian |
購入と品質
記載されている情報：
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
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