LM5114
- Independent Source and Sink Outputs for
Controllable Rise and Fall Times - 4-V to 12.6-V Single Power Supply
- 7.6-A/1.3-A Peak Sink and Source Drive Current
- 0.23-Ω Open-drain Pulldown Sink Output
- 2-Ω Open-drain Pullup Source Output
- 12-ns (Typical) Propagation Delay
- Matching Delay Time Between Inverting and
Noninverting Inputs - TTL/CMOS Logic Inputs
- 0.68-V Input Hysteresis
- Up to 14-V Logic Inputs (Regardless of VDD Voltage)
- Low Input Capacitance: 2.5-pF (Typical)
- –40°C to 125°C Operating Temperature Range
- Pin-to-Pin Compatible With MAX5048
- 6-Pin SOT-23
The LM5114 is designed to drive low-side MOSFETs in boost-type configurations or to drive secondary synchronous MOSFETs in isolated topologies. With strong sink current capability, the LM5114 can drive multiple FETs in parallel. The LM5114 also has the features necessary to drive low-side enhancement mode Gallium Nitride (GaN) FETs. The LM5114 provides inverting and noninverting inputs to satisfy requirements for inverting and Noninverting gate drive in a single device type. The inputs of the LM5114 are TTL/CMOS Logic compatible and withstand input voltages up to 14 V regardless of the VDD voltage. The LM5114 has split gate outputs, providing flexibility to adjust the turnon and turnoff strength independently. The LM5114 has fast switching speed and minimized propagation delays, facilitating high-frequency operation. The LM5114 is available in a 6-pin SOT-23 package and a 6-pin WSON package with an exposed pad to aid thermal dissipation.
技術資料
| 種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | LM5114 Single 7.6-A Peak Current Low-Side Gate Driver データシート (Rev. F) | PDF | HTML | 2015年 11月 30日 | ||
| アプリケーション・ノート | Review of Different Power Factor Correction (PFC) Topologies' Gate Driver Needs | PDF | HTML | 2024年 1月 22日 | |||
| アプリケーション概要 | External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) | 2020年 2月 28日 | ||||
| アプリケーション概要 | Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) | 2020年 2月 28日 | ||||
| アプリケーション・ノート | Improving Efficiency of DC-DC Conversion through Layout | 2019年 5月 7日 | ||||
| アプリケーション概要 | How to overcome negative voltage transients on low-side gate drivers' inputs | 2019年 1月 18日 | ||||
| その他の技術資料 | Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) | 2018年 10月 29日 | ||||
| アプリケーション概要 | Enable Function with Unused Differential Input | 2018年 7月 11日 | ||||
| ホワイト・ペーパー | A comprehensive methodology to qualify the reliability of GaN products | 2015年 3月 2日 | ||||
| ホワイト・ペーパー | GaNの将来性に基づく電源ソリューションの向上 | 英語版 | 2015年 3月 2日 | |||
| ユーザー・ガイド | AN-2206 LM5114 Evaluation Board (Rev. A) | 2013年 5月 3日 |
設計および開発
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LM5114BSDEVAL — LM5114 昇圧 ゲート・ドライバ 評価ボード
The LM5114 is a single low-side gate driver with 7.6A/1.3A peak sink/source drive current capability. It can be used to drive standard Si MOSFETs or enhancement mode GaN FETs in boost type configurations or to drive secondary synchronous FETs in isolated topologies. The LM5114 evaluation board is (...)
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| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| SOT-23 (DBV) | 6 | Ultra Librarian |
| WSON (NGG) | 6 | Ultra Librarian |
購入と品質
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。