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氮化镓 (GaN) 智能电源模块 (IPM)
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DRV7308

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具有保护和电流检测功能的 650V、205mΩ 三相集成式 GaN 智能电源模块 (IPM)

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米6体育平台手机版_好二三四详情

Rating Catalog Architecture Integrated FET Control interface 6xPWM Peak output current (A) 5 RDS(ON) (HS + LS) (mΩ) 250 VDS (max) (V) 650 Features Integrated FETs Operating temperature range (°C) -40 to 125
Rating Catalog Architecture Integrated FET Control interface 6xPWM Peak output current (A) 5 RDS(ON) (HS + LS) (mΩ) 250 VDS (max) (V) 650 Features Integrated FETs Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (REN) 68 144 mm² 12 x 12
  • 具有集成 650V 增强模式 GaNFET 的三相 PWM 电机驱动器
  • 高达 450V 的工作电压
    • 650V 绝对最大电压
  • 高输出电流能力：5A 峰值电流
  • 低导通损耗：每个 GaN FET 具有低导通状态电阻：TA = 25°C 时为 205mΩ RDS(ON)
  • 低开关损耗：零反向恢复、低输出电容、压摆率控制
  • 低失真：< 135ns 的超低传播延迟，< 200ns 的超低自适应死区时间
  • 具有相位节点电压压摆率控制功能的集成式栅极驱动器
    • 5V/ns 至 40V/ns 压摆率选项
  • 通过集成式快速自举 GaN 整流器实现 500ns 最低低侧导通时间支持
  • 低侧 GaN FET 开源引脚，支持 1、2 或 3 分流器电流检测
  • 支持高达 60kHz 硬开关
  • 集成 11MHz、15V/µs 放大器，用于单分流器电流检测
  • 支持 3.3V 和 5V 逻辑输入
  • 集成 BRAKE 功能，可一起导通所有低侧 GaN FET
  • 集成温度传感器
  • OUTx 和 OUTx、VM 和 OUTx 以及 OUTx 和 PGND 之间的间隙大于 1.6mm。
  • VM 和 PGND 之间的间隙为 2mm
  • 集成保护特性
    • GVDD 和自举欠压锁定
    • 每个 GaN FET 的过流保护
    • 过热保护
    • PWM 输入死区时间
    • 对全部三个相位使用集成比较器实现电流限制保护
    • 故障条件指示引脚 (HV_nFAULT)
  • 具有集成 650V 增强模式 GaNFET 的三相 PWM 电机驱动器
  • 高达 450V 的工作电压
    • 650V 绝对最大电压
  • 高输出电流能力：5A 峰值电流
  • 低导通损耗：每个 GaN FET 具有低导通状态电阻：TA = 25°C 时为 205mΩ RDS(ON)
  • 低开关损耗：零反向恢复、低输出电容、压摆率控制
  • 低失真：< 135ns 的超低传播延迟，< 200ns 的超低自适应死区时间
  • 具有相位节点电压压摆率控制功能的集成式栅极驱动器
    • 5V/ns 至 40V/ns 压摆率选项
  • 通过集成式快速自举 GaN 整流器实现 500ns 最低低侧导通时间支持
  • 低侧 GaN FET 开源引脚，支持 1、2 或 3 分流器电流检测
  • 支持高达 60kHz 硬开关
  • 集成 11MHz、15V/µs 放大器，用于单分流器电流检测
  • 支持 3.3V 和 5V 逻辑输入
  • 集成 BRAKE 功能，可一起导通所有低侧 GaN FET
  • 集成温度传感器
  • OUTx 和 OUTx、VM 和 OUTx 以及 OUTx 和 PGND 之间的间隙大于 1.6mm。
  • VM 和 PGND 之间的间隙为 2mm
  • 集成保护特性
    • GVDD 和自举欠压锁定
    • 每个 GaN FET 的过流保护
    • 过热保护
    • PWM 输入死区时间
    • 对全部三个相位使用集成比较器实现电流限制保护
    • 故障条件指示引脚 (HV_nFAULT)

DRV7308 是一款三相智能电源模块 (IPM)，其中包含 205mΩ、650V 增强型氮化镓 (GaN)，用于驱动高达 450V 直流电源轨的三相 BLDC/PMSM 电机。这类应用包括 BLDC 电机的场定向控制 (FOC)、正弦电流控制和梯形电流控制（六步）。该器件有助于为采用 QFN 12mm x 12mm 封装、在 20kHz 开关频率下运行的三相调制 FOC 驱动型 250W 电机驱动应用实现 99% 以上的效率，无需散热器。该器件有助于实现超静音运行和超短的死区时间。使用具有自举电流限制功能的集成自举整流器，无需使用外部自举二极管。

DRV7308 是一款三相智能电源模块 (IPM)，其中包含 205mΩ、650V 增强型氮化镓 (GaN)，用于驱动高达 450V 直流电源轨的三相 BLDC/PMSM 电机。这类应用包括 BLDC 电机的场定向控制 (FOC)、正弦电流控制和梯形电流控制（六步）。该器件有助于为采用 QFN 12mm x 12mm 封装、在 20kHz 开关频率下运行的三相调制 FOC 驱动型 250W 电机驱动应用实现 99% 以上的效率，无需散热器。该器件有助于实现超静音运行和超短的死区时间。使用具有自举电流限制功能的集成自举整流器，无需使用外部自举二极管。
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应用手册 所选封装材料的热学和电学性质 2008年 10月 16日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

DRV7308EVM — DRV7308 评估模块

DRV7308EVM 是专为全面评估 DRV7308 电机驱动器而设计的模块。该器件是一款 250W、450V 集成式三路氮化镓 (GaN) FET 半桥栅极驱动器，适用于电机驱动器应用。DRV7308EVM 提供三个 650V E-mode GaN FET 半桥，能够直接驱动三相无刷直流电机。


此套件需要使用 C2000™ LAUNCHXL-F2800137 LaunchPad™，用于操作和监控 DRV7308 驱动器。LAUNCHXL-F2800137 模块提供 PWM、故障响应和进一步的器件控制。

用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
TI.com 上无现货
参考设计

TIDA-010273 — 250W 电机逆变器参考设计

此参考设计是一款适用于大型电器或类似应用的 250W 电机驱动器，展示了基于 GaN IPM DRV7308 的高效率且不带散热器的电机逆变器，还演示了采用 UCC28911 的低待机功耗设计。此参考设计展示了一种通过 FAST™ 软件编码器或 eSMO 实现三相 PMSM 无传感器 FOC 控制的方法。此参考设计采用模块化设计，支持 C2000™ MCU 和 MSPM0 系列微控制器子板位于同一主板上。此参考设计提供的硬件和软件已经过测试，而且可随时使用，有助于加快开发，从而缩短米6体育平台手机版_好二三四上市时间。该设计指南提供了设计详细信息和测试结果。
设计指南: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
VQFN (REN) 68 Ultra Librarian
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订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

支持和培训

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