ISO5852SEVM

ISO5852SEVM - ISO5852S 评估模块

该评估模块采用 ISO5852S 增强型隔离式栅极驱动器器件，可让设计人员通过预填充的 1-nF 负载或采用标准 TO-247 或 TO-220 封装的用户安装型 IGBT 来评估器件的交流和直流性能。

带 2.5A 拉电流和 5A 灌电流的增强型隔离式 IGBT 栅极驱动器。较短的传播时间可确保精确控制输出级。

输入端由 2.25 V 至 5.5 V 的单电源供电运行。输出端支持从最小 15 V 到最大 30 V 的电源范围

2 A 米勒钳位、输出短路钳位、去饱和度时的故障警报以及带就绪引脚指示的输入和输出欠压锁定

分离的输出、有源输出下拉和默认低输出情况。DESAT 检测时带低电源或浮点输入的闸极驱动器。兼容 CMOS 的输入

该评估模块已针对器件功能性进行测试，同时其用户指南可供设计人员用于评估自己的设计

ISO5452 — 具有分离输出、STO 和保护功能的 5.7kVrms、2.5A/5A 单通道隔离式栅极驱动器

ISO5452-Q1 — 具有分离输出和有源保护功能的汽车类 5.7kVrms、2.5A/5A 单通道隔离式栅极驱动器

ISO5852S — 具有分离输出、STO 和保护功能的 5.7kVrms、2.5A/5A 单通道隔离式栅极驱动器

ISO5852S-EP — 具有分离输出和有源保护功能的 5.7kVrms、2.5A/5A 增强型单通道隔离式栅极驱动器

ISO5852S-Q1 — 具有分离输出和有源保护功能的汽车类 5.7kVrms、2.5A/5A 单通道隔离式栅极驱动器

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	类型	标题		下载最新的英文版本		日期
*	EVM 用户指南	ISO5852S Evaluation Module User's Guide (Rev. A)				2015年 9月 8日
	数据表	ISO5852S 具有分离输出和有源保护特性的高 CMTI 2.5A 和 5A 增强型隔离式 IGBT、MOSFET 栅极驱动器数据表 (Rev. C)	PDF \| HTML	英语版 (Rev.C)	PDF \| HTML	2023年 6月 15日
	证书	ISO5852SEVM EU Declaration of Conformity (DoC)				2019年 1月 2日
	数据表	ISO5452-Q1 High-CMTI 2.5-A and 5-A Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver With Split Outputs and Active Protection Features 数据表 (Rev. A)	PDF \| HTML			2016年 12月 22日
	数据表	ISO5852S-Q1 High-CMTI 2.5-A and 5-A Reinforced Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver With Split Outputs and Active Protection Features 数据表 (Rev. A)	PDF \| HTML			2016年 12月 22日
	数据表	ISO5452-Q1 具有分离输出和有源安全特性的高 CMTI 2.5A/5A 隔离式 IGBT、MOSFET 栅极驱动器数据表	PDF \| HTML	最新英语版本 (Rev.A)	PDF \| HTML	2016年 11月 7日
	数据表	ISO5852S-Q1 具有分离输出和有源安全特性的高 CMTI 2.5A 和 5A 增强型隔离式 IGBT、MOSFET 栅极驱动器数据表	PDF \| HTML	最新英语版本 (Rev.A)	PDF \| HTML	2016年 11月 4日

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